[發明專利]碳氟/鈀/鎂-釕氣致調光薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 202011343371.1
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN112596279B
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發明（設計）人: 陳娟;陳炎;彭立明;鄧南香;吳玉娟;董澤麟;王廷炎;丁文江
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01;G02F1/00;C23C14/35;C23C14/18;C23C16/50;C23C16/30;C23C28/00
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種碳氟/鈀/鎂-釕體系的氣致調光薄膜，其特征在于，所述氣致調光薄膜包括依次設置的基底、鎂-釕復合調光膜層、鈀催化層和碳氟保護膜層所述鎂-釕復合調光膜層中，釕的摩爾百分含量為：1～10％；

所述鎂-釕復合調光膜層的厚度為20～90nm；所述鈀催化層的厚度為2～8nm；所述碳氟保護膜層的厚度為20～100nm；

所述的碳氟/鈀/鎂-釕體系的氣致調光薄膜的制備方法，包括使用磁控濺射共濺射的方法在基底上生長鎂-釕復合膜層，之后在鎂-釕復合膜層上磁控濺射制備鈀催化層，最后使用電感耦合等離子體化學氣相沉積的方法在鈀催化層表面覆蓋碳氟保護膜層的步驟；

所述方法具體包括以下步驟：

S1、將濃硫酸和雙氧水以3：1的比例進行混合配置成清洗液，備用；

S2、將基底放入用配制好的清洗液中浸泡，然后用去離子水沖洗基底，最后將薄膜用氮氣槍吹干；

S3、將步驟S2處理后的基底放入磁控濺射反應室，開啟抽真空系統進行抽真空；

S4、加熱基底，使基底溫度為20～25℃，通入工作氣體A，并維持壓強，待氣壓穩定后，開啟鈀、鎂和釕靶的電源，關閉靶材前的擋板，載入預濺射程序，預濺射清洗靶材；

S5、預濺射完畢后，打開鎂和釕靶的擋板，載入共濺射程序，沉積鎂-釕復合膜層；

S6、沉積完畢后，在真空度保持不變的情況下，載入鈀催化層的濺射工藝程序，再開始沉積；

S7、沉積完畢后，關閉所有靶材的電源，繼續用工作氣體A吹洗樣品，然后停止通入工作氣體A，取出樣品；

S8、將樣品放入反應離子式氣相沉積機的反應室內，通入工作氣體B，載入相應的工藝程序，在鈀催化層表面沉積氟碳膜；沉積完畢后，取出樣品，即得碳氟/鈀/鎂-釕體系的氣致調光薄膜；

步驟S5中，所述鎂-釕層的共濺射程序的工藝參數設置中，鎂靶與釕靶的濺射功率分別為80～150W、10～60W，共濺射時間為50～100s。

2.根據權利要求1所述的碳氟/鈀/鎂-釕體系的氣致調光薄膜，其特征在于，所述基底包括石英玻璃、光導纖維、導電玻璃、有機玻璃中的一種。

3.根據權利要求1所述的碳氟/鈀/鎂-釕體系的氣致調光薄膜，其特征在于，步驟S4中，所述的工作氣體A為氬氣。

4.根據權利要求1所述的碳氟/鈀/鎂-釕體系的氣致調光薄膜，其特征在于，步驟S6中，所述鈀催化層的濺射工藝程序的工藝參數設置中，鈀靶的濺射功率為50～100W,濺射時間為5～50s。

5.根據權利要求1所述的碳氟/鈀/鎂-釕的氣致調光薄膜，其特征在于，步驟S8中，所述的工作氣體B為C₄F₈，氟碳膜的沉積工藝設置參數是工作氣壓為2～6Pa，氣體B流量為20～50sccm，氣體激發功率為400～800W，沉積時間為10～100s。