[發(fā)明專利]無(wú)膠粘層熱塑性液晶聚合物高頻基板及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011342917.1 | 申請(qǐng)日： | 2020-11-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112566364B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-12-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李良彬;趙浩遠(yuǎn) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H05K1/03 | 分類號(hào)： | H05K1/03;H05K1/09;H05K3/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 郭夢(mèng)雅 |
| 地址： | 230026 安*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 膠粘 塑性 液晶 聚合物 高頻 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種無(wú)膠粘層熱塑性液晶聚合物高頻基板，包括多層熱塑性液晶聚合物薄膜和金屬導(dǎo)電層；
所述多層熱塑性液晶聚合物薄膜包括液晶聚合物薄膜層和至少一層復(fù)合液晶聚合物層；
所述金屬導(dǎo)電層設(shè)置在復(fù)合液晶聚合物層表面上；
其中，所述復(fù)合液晶聚合物層采用的材料包括第一液晶聚合物樹(shù)脂和第二液晶聚合物樹(shù)脂；所述液晶聚合物薄膜層采用的材料為所述第二液晶聚合物樹(shù)脂；
所述復(fù)合液晶聚合物層中所述第二液晶聚合物樹(shù)脂的含量為5.0至80.0wt％；
所述第二液晶聚合物樹(shù)脂的熔點(diǎn)比所述第一液晶聚合物樹(shù)脂的熔點(diǎn)高15至100℃；
所述復(fù)合液晶聚合物層是通過(guò)將所述第一液晶聚合物樹(shù)脂和所述第二液晶聚合物樹(shù)脂先進(jìn)行共混造粒，再利用共混后的樹(shù)脂進(jìn)行薄膜成型加工得到的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)膠粘層熱塑性液晶聚合物高頻基板，其特征在于，
所述第一液晶聚合物樹(shù)脂的熔點(diǎn)為200至320℃；
所述第二液晶聚合物樹(shù)脂的熔點(diǎn)為250至400℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)膠粘層熱塑性液晶聚合物高頻基板，其特征在于，
所述金屬導(dǎo)電層的厚度為1～50μm；
所述金屬導(dǎo)電層的表面粗糙度小于3μm；
所述多層熱塑性液晶聚合物薄膜的總厚度為15～500μm；
所述復(fù)合液晶聚合物層的厚度為所述多層熱塑性液晶聚合物薄膜總厚度的1/10～1/2；
所述金屬導(dǎo)電層采用的材料包括金、銀、銅、鎳、鋁、鐵中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)膠粘層熱塑性液晶聚合物高頻基板，其特征在于，
所述多層熱塑性液晶聚合物薄膜面內(nèi)任一方向的熱膨脹系數(shù)為5～40ppm/℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)膠粘層熱塑性液晶聚合物高頻基板，其特征在于，
液晶聚合物薄膜層和金屬導(dǎo)電層之間的剝離強(qiáng)度為0.6kN/m以上；
在10GHz的測(cè)試頻率下，無(wú)膠粘層熱塑性液晶聚合物高頻基板的介電常數(shù)小于3.1，介電損耗因子小于0.003。
6.一種無(wú)膠粘層熱塑性液晶聚合物高頻基板的制備方法，包括：
制備多層熱塑性液晶聚合物薄膜，所述多層熱塑性液晶聚合物薄膜包括液晶聚合物薄膜層和至少一層復(fù)合液晶聚合物層；
在復(fù)合液晶聚合物層上制備金屬導(dǎo)電層，得到所述無(wú)膠粘層熱塑性液晶聚合物高頻基板；
其中，所述復(fù)合液晶聚合物層采用的材料包括第一液晶聚合物樹(shù)脂和第二液晶聚合物樹(shù)脂；所述液晶聚合物薄膜層采用的材料為所述第二液晶聚合物樹(shù)脂；
其中，所述復(fù)合液晶聚合物層中所述第二液晶聚合物樹(shù)脂的含量為5.0至80.0wt％；
其中，所述第二液晶聚合物樹(shù)脂的熔點(diǎn)比所述第一液晶聚合物樹(shù)脂的熔點(diǎn)高15至100℃；
所述復(fù)合液晶聚合物層是通過(guò)將所述第一液晶聚合物樹(shù)脂和所述第二液晶聚合物樹(shù)脂先進(jìn)行共混造粒，再利用共混后的樹(shù)脂進(jìn)行薄膜成型加工得到的。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，
所述在復(fù)合液晶聚合物層上制備金屬導(dǎo)電層步驟中在第一聚合物的熔點(diǎn)Tm1+10℃以上至第二液晶聚合物的熔點(diǎn)Tm2-5℃的溫度范圍內(nèi)，將復(fù)合液晶聚合物層與金屬導(dǎo)電層結(jié)合；
其中，所述第一液晶聚合物樹(shù)脂的熔點(diǎn)為200至320℃；
其中，所述第二液晶聚合物樹(shù)脂的熔點(diǎn)為250至400℃。
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