[發明專利]一種原位修復技術有效
| 申請號: | 202011342230.8 | 申請日: | 2020-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN112546870B | 公開(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發明(設計)人: | 黃彥;劉曉燁 | 申請(專利權)人: | 南京工業大學;南京高謙功能材料科技有限公司 |
| 主分類號: | B01D65/10 | 分類號: | B01D65/10;C04B41/87 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 原位 修復 技術 | ||
1.一種封裝于膜組件內的鈀與鈀合金復合膜原位修復技術,其特征在于包含膜缺陷封堵、燒結和吹掃3個步驟,利用高壓氣體攜帶陶瓷粉體并將陶瓷粉體自動沉積在膜缺陷處,通過高溫處理將陶瓷粉體燒結在膜缺陷處,在燒結過程中持續向膜組件內通入高壓氣體,當加熱溫度超過150℃時,進氣為氮氣,將陶瓷粉體持續帶向膜缺陷處以始終保持陶瓷粉體對膜缺陷的封堵,降溫后用氮氣或壓縮空氣吹掃出膜組件內的多余陶瓷粉體;
膜缺陷封堵操作過程為:關閉膜組件(1)的尾氣口(8),從進氣口(5)將陶瓷粉體(7)加入到膜組件(1)的進氣側(6);從進氣口(5)通入氮氣或壓縮空氣,膜缺陷泄漏的氣體從鈀膜(2)的滲透側(3)流出。
2.如權利要求1所述的膜原位修復技術,其特征在于膜缺陷封堵操作過程中:將膜組件(1)豎立,使膜組件(1)內的氣流方向保持由下向上;緩慢提高進氣壓力至0.5-5MPa,使膜滲透側(3)的氣體泄漏量低于10ml/(cm2·min·MPa)。
3.如權利要求1所述的膜原位修復技術,其特征在于燒結操作過程為:加熱膜組件(1),升溫速率為1-15℃/min;在300-700℃保持0.2-3h,將膜組件(1)自然冷卻,停止通入氮氣。
4.如權利要求1所述的膜原位修復技術,其特征在于吹掃操作過程為:打開膜組件(1)的尾氣口(8),用壓縮空氣或氮氣將膜組件(1)內仍具有流動性的陶瓷粉體(7)吹出來,進氣壓力為0-0.5MPa。
5.如權利要求1所述的膜原位修復技術,其特征在于“燒結”與“膜缺陷封堵”這兩個步驟同時進行,或者“吹掃”步驟在“燒結”步驟之前進行。
6.如權利要求1所述的膜原位修復技術,其特征在于所述陶瓷粉體材料為SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、堿土金屬氧化物、稀土金屬氧化物、混合金屬氧化物、金屬/陶瓷混合物、沸石分子篩、粘土、蒙脫土、高嶺土、硅藻土、凹凸棒土的一種或幾種混和。
7.如權利要求6所述的膜原位修復技術,其特征在于陶瓷粉體材料粒徑分布為0.001-10μm,平均粒徑為0.005-5μm。
8.如權利要求1所述的膜原位修復技術,其特征在于還適用于陶瓷致密膜、陶瓷超濾膜、陶瓷納濾膜和分子篩膜。
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