[發明專利]包括柵間隔物的半導體器件

在審

• 申請號: 202011342115.0
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN113497035A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 徐鳳錫;金大元;樸范琎;樸碩炯;樸星一;申在訓;楊奉燮;劉庭均;李在潤
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李敬文

一種半導體器件包括：第一有源區，限定在襯底上；第一柵電極，跨第一有源區；第一漏區，在第一有源區中與第一柵電極相鄰的位置處；底切區域，在第一有源區與第一柵電極之間；以及第一柵間隔物，在第一柵電極的側表面上并延伸到底切區域中。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2020年4月7日在韓國知識產權局提交的題為“SemiconductorDevices Including Gate Spacer”的韓國專利申請No.10-2020-0042140的優先權，該韓國專利申請通過引用全部并入本文中。

技術領域

本公開涉及包括柵間隔物的半導體器件及其形成方法。

背景技術

隨著半導體器件的高度集成的趨勢，已經開發了使用柵間隔物和替代柵電極的技術。柵間隔物的形狀對形成替代柵電極的過程有很大影響。

發明內容

根據本公開的示例性實施例的一種半導體器件可以包括限定在襯底上的第一有源區。第一柵電極可以跨第一有源區設置在第一有源區上。第一漏區可以設置在第一有源區中與第一柵電極相鄰的位置處。底切區域可以設置在第一有源區與第一柵電極之間。第一柵間隔物可以設置在第一柵電極的側表面上，并且可以延伸到底切區域中。

根據本公開的示例性實施例的一種半導體器件可以包括：第一有源區，限定在襯底上的第一區域中。第一柵電極可以跨第一有源區設置在第一有源區上。第一漏區可以設置在第一有源區中與第一柵電極相鄰的位置處。第一柵間隔物可以設置在第一柵電極的側表面上。第二有源區可以限定在襯底上的第二區域中。第二柵電極可以跨第二有源區設置在第二有源區上，并且可以具有與第一柵電極的水平寬度不同的水平寬度。第二漏區可以設置在第二有源區中與第二柵電極相鄰的位置處。下柵介電層可以設置在第二有源區與第二柵電極之間，并且可以具有比第二柵電極的寬度更小的寬度。第二柵間隔物可以設置在第二柵電極的側表面上，并且可以在第二有源區與第二柵電極之間的底切區域中延伸。第二柵間隔物可以與下柵介電層的側表面接觸。

根據本公開的示例性實施例的一種半導體器件可以包括：第一有源區，限定在襯底上的第一區域中。第一柵電極可以跨第一有源區設置在第一有源區上。第一柵介電層可以設置在第一有源區與第一柵電極之間。一對第一漏區可以設置在第一有源區中與第一柵電極的相對側相鄰的位置處，并且可以彼此間隔開。底切區域可以設置在第一有源區與第一柵電極之間。第一柵間隔物可以設置在第一柵電極的側表面上，并且可以延伸到底切區域中。第二有源區可以限定在襯底上的第二區域中。第二柵電極可以跨第二有源區設置在第二有源區上，并且可以具有比第一柵電極的水平寬度更大的水平寬度。第二柵介電層可以設置在第二有源區與第二柵電極之間。一對第二漏區可以設置在第二有源區中與第二柵電極的相對側相鄰的位置處，并且可以彼此間隔開。下柵介電層可以設置在第二有源區與第二柵介電層之間，并且可以具有比第二柵電極的水平寬度更大的水平寬度。第二柵間隔物可以設置在第二柵電極的側表面上。第一有源區可以包括多個溝道區。多個溝道區中的每一個可以與所述一對第一漏區接觸。第一柵電極可以圍繞多個溝道區中的至少一個的頂表面、側表面和底表面。第二柵電極可以設置在第二有源區的頂表面和側表面上。第二柵電極的下端可以設置在比第二有源區的上端更低的水平處。

根據本公開的示例性實施例的一種形成半導體器件的方法可以包括：在襯底上限定第一有源區和第二有源區?？梢钥绲谝挥性磪^在第一有源區上形成第一柵電極，并且可以跨第二有源區在第二有源區上形成第二柵電極?？梢栽诘谝挥性磪^中與第一柵電極相鄰的位置處形成第一漏區，并且可以在第二有源區中與第二柵電極相鄰的位置處形成第二漏區?？梢栽诘谝粬烹姌O的側表面上形成第一柵間隔物。在第二有源區與第二柵電極之間形成下柵介電層?？梢栽诘诙烹姌O的側表面上形成第二柵間隔物。第一柵間隔物可以在第一有源區與第一柵電極之間的底切區域中延伸。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述示例性實施例，特征對于本領域技術人員將變得清楚，在附圖中：