[發明專利]半導體工藝設備

有效

• 申請號: 202011340051.0
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN112593208B
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 任曉艷;王勇飛;史小平;鄭波;蘭云峰;秦海豐;張文強;王昊
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/44;C23C16/458
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括：工藝腔室、進氣裝置及承載裝置；

所述工藝腔室內包括自上至下分布的工藝區及傳片區；所述進氣裝置設置于所述工藝腔室的頂部，用于向所述工藝區內通入工藝氣體；

所述承載裝置包括有基座及導流結構，所述基座可升降的設置于所述傳片區內，用于承載待加工件；所述導流結構設置于所述基座內，與一供氣源連接，用于在所述基座位于工藝位置時，沿所述基座的周向吹出氣體，在所述基座外周與所述工藝腔室內壁之間形成氣墻，以隔絕所述工藝氣體進入所述傳片區；

所述工藝腔室傳片區的內壁中設有排氣結構，當所述基座位于所述工藝位置時，所述導流結構與所述排氣結構相對，所述排氣結構用于排出所述導流結構吹出的氣體。

2.如權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述基座包括基座本體和支撐軸，所述基座本體用于承載所述待加工件，所述支撐軸一端與所述基座本體連接，另一端穿過所述工藝腔室的底壁與一驅動源連接；

所述導流結構包括導流縫及多個氣流道，所述導流縫開設于所述基座本體的外周壁上，并且沿所述基座本體的周向延伸設置；所述氣流道開設于所述基座本體和所述支撐軸中，其兩端分別與所述導流縫及所述供氣源連接，用于將所述氣體導引至所述導流縫。

3.如權利要求2所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述導流結構還包括有環形的增壓腔，所述增壓腔形成于所述基座本體內且環繞所述基座本體的軸心設置，多個所述氣流道均通過所述增壓腔與所述導流縫連通。

4.如權利要求3所述的半導體工藝設備，其特征在于，多個所述氣流道位于所述基座本體中的部分均沿所述基座本體的徑向延伸設置，并且沿所述基座本體的周向均勻排布；多個所述氣流道位于所述支撐軸中的部分均沿所述支撐軸的軸向延伸設置，且圍繞所述支撐軸的軸線均勻排布。

5.如權利要求2所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述排氣結構包括排氣腔和第一排氣管路，所述排氣腔呈環形，形成于所述工藝腔室傳片區的側壁中，沿所述側壁的周向延伸設置，所述側壁上開設有沿所述側壁的周向延伸設置且連通所述排氣腔的排氣口，在所述基座位于工藝位置時，所述排氣口與所述導流縫相對，所述排氣口的高度大于所述導流縫的高度，所述第一排氣管路一端與所述排氣腔連通，另一端與第一抽氣裝置連通。

6.如權利要求5所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述半導體工藝設備還包括第二排氣管路，所述第二排氣管路的兩端分別與所述傳片區及所述第一抽氣裝置連接。

7.如權利要求6所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述工藝腔室工藝區的內壁上設有工藝排氣結構，所述工藝排氣結構用于排出所述工藝氣體。

8.如權利要求7所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述工藝排氣結構包括排氣槽、排氣柵及第三排氣管路，所述排氣槽呈環形，開設在所述工藝腔室工藝區的側壁上，沿所述側壁的周向延伸設置，所述排氣柵呈環形，設置在所述排氣槽的開口處，所述第三排氣管路一端與所述排氣槽連通，另一端與第二抽氣裝置連通。

9.如權利要求8所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述第一排氣管路、第二排氣管路上均設置有閥門，所述閥門用于導通或關閉所述第一排氣管路、第二排氣管路；所述第三排氣管路上設置有所述閥門，所述閥門用于導通或關閉所述第一排氣管路、第二排氣管路。

10.如權利要求1至8的任一所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述工藝腔室內還設置有環形的分隔板，所述分隔板的外緣與所述工藝腔室的內壁連接，用于在所述工藝腔室分隔所述工藝區及所述傳片區；當所述基座位于所述工藝位置時，所述基座的頂面與所述分隔板的頂面平齊。