[發(fā)明專(zhuān)利]一種MOCVD設(shè)備混氣頂盤(pán)組件及反應(yīng)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011339339.6
• 申請(qǐng)日: 2020-11-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112281142A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱金華;宋濤;李輝;周?chē)?guó)軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 山西中科潞安紫外光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/455
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/455;C23C16/458;C23C16/18
• 代理公司: 北京和信華成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11390
• 代理人: 張永輝

1.一種MOCVD設(shè)備混氣頂盤(pán)組件，其特征在于：包括：頂盤(pán)、勻氣網(wǎng)和勻氣水冷盤(pán)；所述勻氣網(wǎng)設(shè)置在頂盤(pán)與勻氣水冷盤(pán)之間；所述頂盤(pán)與勻氣網(wǎng)之間構(gòu)成混合空腔，所述頂盤(pán)頂部設(shè)置有與所述混合空腔連通的第一進(jìn)氣管路和第二進(jìn)氣管路；所述勻氣網(wǎng)下表面與所述勻氣水冷盤(pán)上表面直接接觸；所述勻氣水冷盤(pán)的上表面布滿(mǎn)多條平行排列的水道，所述水道首尾相連構(gòu)成水冷槽，所述水冷槽外周及水道間隙布滿(mǎn)勻氣孔。

2.如權(quán)利要求1所述的MOCVD設(shè)備混氣頂盤(pán)組件，其特征在于：所述頂盤(pán)的下表面排布有第一噴頭組和第二噴頭組，所述第一進(jìn)氣管路與第一噴頭組連通，第二進(jìn)氣管路與第二噴頭組連通；所述第一噴頭組沿頂盤(pán)中間直徑方向直線(xiàn)排布；所述第二噴頭組分布在第一噴頭組兩側(cè)的對(duì)稱(chēng)圓周分布；所述第一噴頭組沿頂盤(pán)的直徑排列，噴嘴方向?yàn)榇怪庇谒鲋睆降淖笥曳较颍凰龅诙婎^組沿著頂盤(pán)內(nèi)與頂盤(pán)外周至少一個(gè)同心圓的圓周排列布置，噴嘴方向?yàn)檠厮鐾膱A相應(yīng)位置的法線(xiàn)的前后方向。

3.如權(quán)利要求1所述的MOCVD設(shè)備混氣頂盤(pán)組件，其特征在于：所述勻氣網(wǎng)上的勻氣孔采用圓形直線(xiàn)排列。

4.如權(quán)利要求1所述的MOCVD設(shè)備混氣頂盤(pán)組件，其特征在于：所述勻氣水冷盤(pán)的下方設(shè)置有導(dǎo)流罩，所述導(dǎo)流罩頂部外側(cè)設(shè)置有水冷套。

5.如權(quán)利要求4所述的MOCVD設(shè)備混氣頂盤(pán)組件，其特征在于：所述導(dǎo)流罩為從上至下直徑階梯擴(kuò)大的結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的MOCVD設(shè)備混氣頂盤(pán)組件，其特征在于：所述水冷槽為兩條，每條所述水冷槽的首尾端均連通有水冷管道。

7.如權(quán)利要求1所述的MOCVD設(shè)備混氣頂盤(pán)組件，其特征在于：從所述頂盤(pán)至勻氣水冷盤(pán)上下貫穿設(shè)置有觀察窗管路。

8.一種MOCVD反應(yīng)設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的頂盤(pán)組件，還包括設(shè)置在導(dǎo)流罩下方的旋轉(zhuǎn)晶圓基座。

9.如權(quán)利要求8所述的反應(yīng)設(shè)備，其特征在于：所述旋轉(zhuǎn)晶圓基座的高度不超過(guò)所述導(dǎo)流罩最后一節(jié)臺(tái)階高度。