[發(fā)明專利]一種存儲器的壞塊處理方法及系統(tǒng)

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• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN112596668A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李偉;劉鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 航天信息股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京工信聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11266
• 代理人: 姜麗輝

本發(fā)明公開了一種存儲器的壞塊處理方法及系統(tǒng)，包括：步驟1，上電檢查存儲器的有效區(qū)域中的存儲塊是否完成初始化標(biāo)識置位；步驟2，當(dāng)完成所述初始化標(biāo)識置位時，選取壞塊替換區(qū)域中起始的地址對應(yīng)的替換塊為當(dāng)前的替換塊，并判斷當(dāng)前的替換塊是否為壞塊；步驟3，若當(dāng)前的替換塊為好塊，則讀取所述當(dāng)前的替換塊的spare區(qū)中存儲的替換塊的地址，并當(dāng)確定替換塊的地址為有效時，申請動態(tài)內(nèi)存并創(chuàng)建數(shù)據(jù)節(jié)點，填充該新創(chuàng)建的數(shù)據(jù)節(jié)點的結(jié)點信息并修改上個節(jié)點的地址指針；步驟4，從所述壞塊替換區(qū)域中選取下一個替換塊作為當(dāng)前的替換塊，并返回步驟3；步驟5，當(dāng)遍歷完成所述壞塊替換區(qū)域中的所有替換塊時，將多個數(shù)據(jù)節(jié)點連接，以建立壞塊映射表。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，并且更具體地，涉及一種存儲器的壞塊處理方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)

NandFlash存儲器是非易失性存儲器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NandFlash存儲器具有容量較大，改寫速度快、價格低廉等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、手機、錄音筆等。

由于NandFlash的工藝的限制，不能保證在其生命周期中保持性能的可靠。因此，在NAND的生產(chǎn)中及使用過程中會產(chǎn)生壞塊。壞塊的特性是：當(dāng)編程/擦除這個塊時，不能將某些位拉高，最終表現(xiàn)為存儲數(shù)據(jù)錯誤。按照壞塊產(chǎn)生的原因，壞塊可以分為兩大類固有壞塊和使用壞塊。固有壞塊是生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的壞塊，一般芯片原廠會在出廠時將壞塊標(biāo)記；使用壞塊是對某塊進行多次寫入和擦除，造成的數(shù)據(jù)塊損壞。

通常，對NandFlash壞塊的處理策略是采用壞塊替換法。這種方法就是將NandFlash分為有效區(qū)和替換區(qū)，當(dāng)遇到壞塊時，從替換區(qū)查找一個好塊，建立壞塊地址和替換區(qū)的好塊地址的映射關(guān)系，并將映射關(guān)系表存儲在替換區(qū)的壞塊管理信息中。壞塊替換法將映射信息保存在NandFlash中，如果映射信息所在的塊變成壞塊，映射信息就會全部丟失，將造成數(shù)據(jù)嚴(yán)重紊亂。如果更新映射信息比較頻繁，就會反復(fù)擦寫修改替換區(qū)，也會極大縮短Flash的使用壽命。而且，為了提高效率，一般會創(chuàng)建一個數(shù)組緩存映射信息，這種管理方式對于大容量的NandFlash，需要占用大量RAM資源。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提出一種存儲器的壞塊處理方法及系統(tǒng)，以解決如何對NandFlash存儲器的壞塊進行處理的問題。

為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種存儲器的壞塊處理方法，所述方法包括：

步驟1，上電檢查存儲器的有效區(qū)域中的存儲塊是否完成初始化標(biāo)識置位；

步驟2，當(dāng)完成所述初始化標(biāo)識置位時，選取壞塊替換區(qū)域中起始的地址對應(yīng)的替換塊為當(dāng)前的替換塊，并根據(jù)當(dāng)前的替換塊的spare區(qū)的數(shù)據(jù)判斷當(dāng)前的替換塊是否為壞塊；

步驟3，若當(dāng)前的替換塊為好塊，則讀取所述當(dāng)前的替換塊的spare區(qū)中存儲的替換塊的地址，并當(dāng)確定替換塊的地址為有效時，申請動態(tài)內(nèi)存并創(chuàng)建數(shù)據(jù)節(jié)點，填充該新創(chuàng)建的數(shù)據(jù)節(jié)點的結(jié)點信息并修改上個節(jié)點的地址指針；

步驟4，從所述壞塊替換區(qū)域中選取下一個替換塊作為當(dāng)前的替換塊，并返回步驟3，直至遍歷完成所述壞塊替換區(qū)域中的所有替換塊；

步驟5，當(dāng)遍歷完成所述壞塊替換區(qū)域中的所有替換塊時，將多個數(shù)據(jù)節(jié)點連接，以建立壞塊映射表。

優(yōu)選地，其中所述方法還包括：

若所述初始化標(biāo)識未置位，則依次讀取數(shù)據(jù)有效區(qū)域中的每個存儲塊的spare區(qū)的數(shù)據(jù)，并根據(jù)每個存儲塊的所述spare區(qū)的數(shù)據(jù)確定該存儲塊是否為出廠壞塊，直至遍歷完所述數(shù)據(jù)有效區(qū)域中的所有存儲塊，將存儲器初始化標(biāo)識置位，并進入步驟2；