[發(fā)明專利]eflash器件的控制柵刻蝕方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011337136.3
• 申請(qǐng)日: 2020-11-25
• 公開（公告）號(hào): CN112420721B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11536
• 分類號(hào): H01L27/11536;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種eflash器件的控制柵刻蝕方法，其特征在于，所述eflash器件的控制柵刻蝕方法包括：

提供一eflash器件的存儲(chǔ)區(qū)結(jié)構(gòu)，所述存儲(chǔ)區(qū)結(jié)構(gòu)包括由下至上依次層疊的柵介質(zhì)層、多晶硅浮柵、多晶硅間介質(zhì)層、多晶硅控制柵和掩模層，其中，所述多晶硅間介質(zhì)層包括由下至上依次層疊的第一氧化層、氮化層和第二氧化層；

在所述掩模層上開設(shè)刻蝕窗口；

在所述刻蝕窗口的周壁上形成側(cè)墻，通過所述側(cè)墻定義出控制柵刻蝕圖案；

根據(jù)所述控制柵刻蝕圖案進(jìn)行干法刻蝕，刻蝕去除所述柵刻蝕圖案位置處的多晶硅控制柵，使得刻蝕停止面位于所述多晶硅間介質(zhì)層的氮化層中；

根據(jù)所述控制柵刻蝕圖案進(jìn)行濕法刻蝕，刻蝕去除在所述柵刻蝕圖案位置處，剩余的多晶硅間介質(zhì)層；使得所述多晶硅控制柵的刻蝕周面光滑。

2.如權(quán)利要求1所述的eflash器件的控制柵刻蝕方法，其特征在于，所述根據(jù)所述控制柵刻蝕圖案進(jìn)行濕法刻蝕，刻蝕去除在所述柵刻蝕圖案位置處，剩余的多晶硅間介質(zhì)層的步驟，包括：

采用非氫氟酸的刻蝕液對(duì)所述控制柵刻蝕圖案進(jìn)行濕法刻蝕，刻蝕去除在所述柵刻蝕圖案位置處，剩余的多晶硅間介質(zhì)層。

3.如權(quán)利要求1所述的eflash器件的控制柵刻蝕方法，其特征在于，所述在所述掩模層上開設(shè)刻蝕窗口的步驟，包括：

通過光刻工藝在所述掩模層上定義出刻蝕窗口圖案；

根據(jù)所述刻蝕窗口圖案對(duì)所述掩模層進(jìn)行刻蝕，形成所述刻蝕窗口。

4.如權(quán)利要求1所述的eflash器件的控制柵刻蝕方法，其特征在于，所述在所述刻蝕窗口的周壁上形成側(cè)墻，通過所述側(cè)墻定義出控制柵刻蝕圖案的步驟，包括：

沉積二氧化硅層，使得所述二氧化硅層覆蓋在剩余的掩模層上、刻蝕窗口的周壁上和所述刻蝕窗口位置處的多晶硅控制柵上；

通過光刻工藝在所述二氧化硅層上定義出側(cè)墻圖案；

刻蝕去除所述側(cè)墻圖案以外的所述二氧化硅層，使得在所述刻蝕窗口的周壁上形成側(cè)墻。

5.如權(quán)利要求1所述的eflash器件的控制柵刻蝕方法，其特征在于，所述掩模層的厚度為3000埃至4000埃。

6.如權(quán)利要求1所述的eflash器件的控制柵刻蝕方法，其特征在于，所述多晶硅控制柵的厚度為500埃至700埃。

7.如權(quán)利要求1所述的eflash器件的控制柵刻蝕方法，其特征在于，所述多晶硅間介質(zhì)層的厚度為120埃至160埃。

8.如權(quán)利要求1所述的eflash器件的控制柵刻蝕方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)區(qū)結(jié)構(gòu)位于所述eflash器件襯底層的溝道區(qū)上。