[發明專利]一種Micro LED器件及其轉移方法在審
| 申請號: | 202011337110.9 | 申請日: | 2020-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN112466813A | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發明(設計)人: | 張有為;周宇;朱充沛;高威 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/683;H01L27/15 |
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| 地址: | 210033 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 micro led 器件 及其 轉移 方法 | ||
本發明還提供一種Micro LED器件及其轉移方法,Micro LED器件包括玻璃基板、位于玻璃基板上的膠緩沖層、位于膠緩沖層上的第二金屬凸起、粘附層以及LED陣列,其中第二金屬凸起呈凹凸狀,粘附層位于第二金屬凸起的凸狀上,LED陣列包括位于第二金屬凸起的凹狀內的第一金屬凸起和位于第一金屬凸起上的外延層。本發明LED陣列的LED金屬層放置在第二金屬凸起的凹狀內上且未直接與膠緩沖層接觸,這樣LED陣列轉移時不會有膠殘留;另一方面LED陣列底部沒有設置膠,這樣轉移LED陣列時,拾取力需求小,提高了轉移效率,避免了LED電性接觸不良。
技術領域
本發明涉及一種Micro LED的技術領域,尤其涉及一種Micro LED顯示器件及其轉移方法。
背景技術
Micro LED為無機發光材料具有發光效率高、壽命長、可靠性高的優點而被廣泛關注,為了制作全彩的顯示器需要把R、G、B三種顏色的micro LED從各自的生長基板上進行拾取,然后放置在驅動背板上,將LED從生長基板分離一般采用激光剝離裝置,將LED臨時固定于暫態基板上,等待轉移
將LED與生長基板分離時一般采用UV膠或者熱解膠等膠水作為臨時固定材料,并且膠水能為LED分離時產生的應力提供緩沖作用,避免LED碎裂,但膠水會殘存于LED表面影響電性接觸,并且膠水解粘后仍存在部分粘力,阻礙LED拾取,降低拾取效率。
發明內容
本發明的目的在于提供一種拾取力需求小和提高轉移效率的Micro LED顯示器件及其轉移方法。
本發明提供一種Micro LED轉移方法,包括如下步驟:
S1:首先在襯底基板上沉積外延層;然后在外延層上沉積第一金屬層;
S2:對第一金屬層進行刻蝕并形成多個第一凹槽和位于相鄰第一凹槽之間的第一金屬凸起;
S3:在玻璃基板上沉積膠緩沖層;
S4:在膠緩沖層上沉積第二金屬層;
S5:在第二金屬層上沉積粘附層;
S6:首先對粘附層進行刻蝕形成圖案化的粘附層;然后對第二金屬層進行刻蝕形成位于粘附層下方的第二金屬凸起和位于第二金屬凸起之間第二凹槽;
S7:具有第二金屬凸起的玻璃基板放置在具有第一金屬凸起的襯底基板上,使得第二金屬凸起放置在襯底基板的第一凹槽內并進行對應壓合;
S8:剝離襯底基板將玻璃基板朝下放置;
S9:第一金屬凸起和外延層刻蝕并分別形成位于第二凹槽內的LED金屬層和位于LED金屬層上的LED外延層,LED金屬層和LED外延層組成LED陣列;
S10:轉移頭從膠緩沖層上轉移LED陣列。
進一步地,步驟S1的襯底基板為藍寶石襯底。
進一步地,步驟S3的膠緩沖層為UV膠或者熱解膠。
進一步地,步驟S2中,第一金屬層刻蝕深度為H1,第一金屬層刻蝕寬度為W1,第一金屬凸起的寬度為W2;步驟S6中,兩次刻蝕總深度為H2,兩次刻蝕寬度為W3,第二金屬凸起的寬度為W4;其中H2≥H1,W3≥W2,W4≤W1。
本發明還提供一種Micro LED器件,其包括玻璃基板,還包括位于玻璃基板上的膠緩沖層、位于膠緩沖層上的第二金屬凸起、粘附層以及LED陣列,其中第二金屬凸起呈凹凸狀,粘附層位于第二金屬凸起的凸狀上,LED陣列包括位于第二金屬凸起的凹狀內的第一金屬凸起和位于第一金屬凸起上的外延層。
進一步地,膠緩沖層為UV膠或者熱解膠。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





