[發明專利]一種超薄晶圓減薄以及背面金屬蒸鍍的工藝方法在審
| 申請號： | 202011336926.X | 申請日： | 2020-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN112466807A | 公開（公告）日： | 2021-03-09 |
| 發明（設計）人： | 嚴立巍;文鍾;符德榮 | 申請（專利權）人： | 紹興同芯成集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 張明利 |
| 地址： | 312000 浙江省紹興市越城區*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 超薄 晶圓減薄 以及 背面 金屬 工藝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種超薄晶圓減薄以及背面金屬蒸鍍的工藝方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、環狀保護
將研磨膠帶(2)的側端環繞貼合有金屬環(1)，形成環狀保護；
S2、鍵合
將晶圓(3)背面向上，正面與研磨膠帶(2)鍵合；
S3、薄化減厚
對晶圓(3)的背面進行蝕刻，減少晶圓(3)的厚度，然后解除應力，繼續減少晶圓(3)的厚度；
S4、浸泡脫離
將晶圓(3)與研磨膠帶(2)浸泡至有機溶劑中，溶劑從邊緣逐漸滲入晶圓(3)與研磨膠帶(2)的鍵合面，去除黏著力后，研磨膠帶(2)應重力在溶劑浸泡中脫離；
S5、支撐保護
將晶圓(3)轉移至金屬環(1)上，使得晶圓(3)得到金屬環(1)的支撐和保護；
S6、轉移蒸鍍
將受到金屬環(1)支撐保護的晶圓(3)轉移走，在晶圓(3)背面鍍上金屬膜(4)。
2.根據權利要求1所述的一種超薄晶圓減薄以及背面金屬蒸鍍的工藝方法，其特征在于，所述S3中蝕刻后晶圓(3)厚度減為105—110um，然后解除應力，使得晶圓3厚度減為100—105um。
3.根據權利要求1所述的一種超薄晶圓減薄以及背面金屬蒸鍍的工藝方法，其特征在于，所述S4中控制浸泡時間為1.5—2.5h。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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