[發明專利]一種IGBT晶圓的接觸孔成形工藝在審
| 申請號： | 202011336884.X | 申請日： | 2020-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN112447518A | 公開（公告）日： | 2021-03-05 |
| 發明（設計）人： | 嚴立巍;符德榮;文鍾 | 申請（專利權）人： | 紹興同芯成集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331;H01L21/768;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 張明利 |
| 地址： | 312000 浙江省紹興市越城區*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 igbt 接觸 成形 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種IGBT晶圓的接觸孔成形工藝，其特征在于，包括以下步驟：
S1、通過LPCVD在做好深溝槽閘極的IGBT晶圓正面面沉積Si3N4層，再以異向性干蝕刻Si3N4層形成深溝槽閘極側壁的Si3N4墊片；
S2、在晶圓正面沉積ILD層；
S3、干蝕刻ILD層進行開孔，形成自上而下逐漸變窄的緩坡狀接觸孔；
S4、通過濺鍍厚膜Al，Al在接觸孔中完整的填充，形成IGBT的Emittor結構。
2.根據權利要求1所述的IGBT晶圓的接觸孔成形工藝，其特征在于，所述步驟S2中ILD層的沉積方法為LPCVD、APCVD和PECVD的一種。
3.根據權利要求1所述的IGBT晶圓的接觸孔成形工藝，其特征在于，所述ILD層底層為無摻雜的電介質，ILD層上層為摻雜P的電介質。
4.根據權利要求1所述的IGBT晶圓的接觸孔成形工藝，其特征在于，所述緩坡狀接觸孔的側壁傾斜角度為75-85°。
5.根據權利要求1所述的IGBT晶圓的接觸孔成形工藝，其特征在于，所述步驟S4中濺鍍厚膜Al時溫度為400℃以上。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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