[發(fā)明專利]一種高溫熔體中高熔點(diǎn)物相聚集及分離的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011336190.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112593026A | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 扈玫瓏;馬通祥;簡(jiǎn)廷芳;呂學(xué)偉;羅翔宇;趙朗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 重慶大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C21B3/06 | 分類號(hào): | C21B3/06;C21B13/00;C01B32/921;C01B21/076;C01B32/40;C04B7/147 |
| 代理公司: | 重慶企進(jìn)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 50251 | 代理人: | 周輝 |
| 地址: | 400044 *** | 國省代碼: | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高溫 中高 熔點(diǎn) 相聚 分離 方法 | ||
1.一種高溫熔體中高熔點(diǎn)物相聚集及分離的方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1、配料:將含有待提取高熔點(diǎn)物相的爐渣與碳混合后研磨均勻;
S2、碳熱還原:將步驟S1中配制的混合物料裝入坩堝中,在通入惰性氣體的環(huán)境下加熱并保溫,進(jìn)行碳熱還原;
S3、富集:碳熱還原過程中,向坩堝中加入固態(tài)金屬物,使固態(tài)金屬物能夠沉入坩堝的底部;
S4、急冷處理:將坩堝進(jìn)行空冷或者放入冷卻液中急冷;
S5、分離:將坩堝敲碎并取出沉在坩堝底部的固態(tài)金屬物,采用酸浸或者電化學(xué)方法處理表面附有待提取高熔點(diǎn)物相的固態(tài)金屬物,分離高熔點(diǎn)物相和固態(tài)金屬物,得到純凈的高熔點(diǎn)物相。
2.如權(quán)利要求1所述的高溫熔體中高熔點(diǎn)物相聚集及分離的方法,其特征在于,所述爐渣為冶金熔體。
3.如權(quán)利要求1所述的高溫熔體中高熔點(diǎn)物相聚集及分離的方法,其特征在于,所述爐渣為含鈦高爐渣。
4.如權(quán)利要求3所述的高溫熔體中高熔點(diǎn)物相聚集及分離的方法,其特征在于,所述步驟S1中,碳和含鈦高爐渣混合物的C和TiO2摩爾比為(3.6~5.5):1。
5.如權(quán)利要求3所述的高溫熔體中高熔點(diǎn)物相聚集及分離的方法,其特征在于,所述步驟S2中,將坩堝放入立式硅鉬棒高溫管式爐內(nèi)恒溫區(qū),通入惰性氣體后加熱并保溫,進(jìn)行碳熱還原。
6.如權(quán)利要求5所述的高溫熔體中高熔點(diǎn)物相聚集及分離的方法,其特征在于,加熱溫度為1450~1600℃,并保溫1~2小時(shí)。
7.如權(quán)利要求3所述的高溫熔體中高熔點(diǎn)物相聚集及分離的方法,其特征在于,所述步驟S3中,所述固態(tài)金屬物為鐵。
8.如權(quán)利要求3所述的高溫熔體中高熔點(diǎn)物相聚集及分離的方法,其特征在于,所述固態(tài)金屬物與坩堝中爐渣的質(zhì)量比為50%~200%。
9.如權(quán)利要求3所述的高溫熔體中高熔點(diǎn)物相聚集及分離的方法,其特征在于,所述步驟S3中,加入固態(tài)金屬物后,繼續(xù)保溫20~60min。
10.如權(quán)利要求3所述的高溫熔體中高熔點(diǎn)物相聚集及分離的方法,其特征在于,所述步驟S3中,所述固態(tài)金屬物均勻地加入坩堝中,使固態(tài)金屬物在下沉過程中在坩堝的徑向上均勻分布。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于重慶大學(xué),未經(jīng)重慶大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011336190.6/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 熔點(diǎn)儀
- 異種材料的連接方法、連接裝置及連接結(jié)構(gòu)
- 熔點(diǎn)杯
- 由高熔點(diǎn)金屬合金、高熔點(diǎn)金屬硅化物、高熔點(diǎn)金屬碳化物、高熔點(diǎn)金屬氮化物或高熔點(diǎn)金屬硼化物這些難燒結(jié)物質(zhì)構(gòu)成的靶及其制造方法以及該濺射靶 -背襯板組件及其制造方法
- 高熔點(diǎn)顆粒或纖維和低熔點(diǎn)顆粒混合粉末合金及其制備方法
- 由難燒結(jié)物質(zhì)構(gòu)成的靶及其制造方法以及靶-背襯板組件及其制造方法
- 熔絲元件、熔絲器件、保護(hù)元件、短路元件、切換元件
- 一種低熔點(diǎn)金屬器件的制作方法及太陽能電池的制作方法
- 熱塑性布及以此熱塑性布制成的制品
- 光纖熔點(diǎn)保護(hù)裝置





