[發明專利]包括容納包封物嵌埋的半導體裸片的罐的半導體裝置

在審

• 申請號: 202011335846.2
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN112838061A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 林慧莉;杜潤鴻;葉炳良
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新

1.一種半導體裝置(10)，包括：

導電罐(11)，其包括平坦部分(11A)和從平坦部分(11A)的邊緣延伸的至少一個外圍邊沿部分(11B)；

半導體裸片(12)，其包括第一主面、與第一主面相反的第二主面、設置在第一主面上的第一接觸焊盤(12A)和設置在第二主面上的第二接觸焊盤(12B)，其中，第一接觸焊盤(12A)電連接到罐(11)的平坦部分(11A)；

電互連器(13)，其與第二接觸焊盤(12A)連接；和

包封物(14)，其設置在半導體裸片(12)之下而包圍電互連器(13)，

其中，電互連器(13)的外表面從包封物(14)的外表面凹入。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置(10)，其中

包封物(14)被設置成填充半導體裸片(12)與罐(11)的平坦部分(11A)和邊沿(11B)之間的空間。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置(10)，其中

罐(11)的頂表面被包封物(14)暴露或未被包封物(14)覆蓋。

4.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置(10)，其中

電互連器(13)的高度在包封物(14)的高度的40％至80％的范圍內，其中，所述高度是從半導體裸片(12)的第二主面測量的。

5.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置(10)，其中

包封物(14)包括有機環氧化合物、環氧樹脂和聯苯環氧樹脂中的一種或多種。

6.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置(10)，其中

包封物(14)包括填充材料、特別是SiO的顆粒。

7.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置(10)，其中

電互連器(13)包括基于焊料的合金、Sn/Ag/Cu的合金和銅柱中的一種或多種。

8.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置(10)，其中

在電互連器(13)的外表面上沒有設置焊料。

9.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置(10)，其中

半導體裸片(12)包括具有端子的功率半導體裸片，其中，邊沿部分(11B)與一個端子連接，一個或多個電互連器(13)與其它端子連接。

10.一種半導體裝置(20)，包括：

導電罐(21)，其包括平坦部分(21A)和從平坦部分(21A)的邊緣延伸的至少一個外圍邊沿部分(21B)；

半導體裸片(22)，其包括第一主面、與第一主面相反的第二主面、設置在第一主面上的第一接觸焊盤(22A)和設置在第二主面上的第二接觸焊盤(22B)，其中，第一接觸焊盤(22A)電連接到罐(21)的平坦部分(21A)；

電互連器(23)，其與第二接觸焊盤(22B)連接；和

包封物(24)，其設置在半導體裸片(22)之下而包圍電互連器(23)，

其中，電互連器(23)的外表面從包封物(24)的外表面突出，其中，包封物被配置成包圍電互連器的高度的至少40％。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置(20)，其中

包封物(24)被設置成填充半導體裸片(22)與罐(21)的平坦部分(21A)和邊沿部分(21B)之間的空間。

12.根據權利要求10或11所述的半導體裝置(20)，其中

罐(21)的頂表面被包封物暴露或未被包封物覆蓋。

13.根據權利要求10-12中任一項所述的半導體裝置(20)，其中

電互連器(23)的突出部分在電互連器(23)的總高度的20％至40％的范圍內。