[發(fā)明專利]等離子體處理方法及等離子體處理裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011335819.5
• 申請(qǐng)日: 2020-11-25
• 公開（公告）號(hào): CN112951698A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 久保田紳治;永關(guān)一也;檜森慎司;永海幸一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 任玉敏

本發(fā)明中公開的等離子體處理方法包括在第1期間，通過(guò)從高頻電源供應(yīng)高頻電力而在等離子體處理裝置的腔室內(nèi)生成等離子體的工序。等離子體處理方法進(jìn)一步包括在接續(xù)第1期間的第2期間，停止供應(yīng)源自高頻電源的高頻電力的工序。等離子體處理方法進(jìn)一步包括在接續(xù)第2期間的第3期間，將負(fù)極性的直流電壓從偏置電源施加到基板支承器的工序。在第3期間，未供應(yīng)高頻電力。在第3期間，將負(fù)極性的直流電壓設(shè)定為利用二次電子在腔室內(nèi)生成離子，該二次電子通過(guò)使腔室內(nèi)的離子碰撞基板而釋放。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的例示性實(shí)施方式涉及一種等離子體處理方法及等離子體處理裝置。

背景技術(shù)

在對(duì)基板的等離子體處理中，使用等離子體處理裝置。等離子體處理裝置具備腔室、基板支承器及高頻電源。基板支承器構(gòu)成為具有下部電極且在腔室內(nèi)支承基板。高頻電源供應(yīng)高頻電力，以在腔室內(nèi)由氣體生成等離子體。在專利文獻(xiàn)1(即，日本特開2009-187975號(hào)公報(bào))中公開有這種等離子體處理裝置。

專利文獻(xiàn)1中公開的等離子體處理裝置進(jìn)一步具備DC負(fù)脈沖產(chǎn)生裝置。DC負(fù)脈沖產(chǎn)生裝置在從高頻電源供應(yīng)高頻電力以生成等離子體時(shí)，將負(fù)極性的直流電壓的脈沖間歇性地施加到下部電極。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種相對(duì)于使用電力提高基板的處理效率的技術(shù)。

在一例示性實(shí)施方式中，提供一種等離子體處理方法。等離子體處理方法包括在第1期間，通過(guò)從高頻電源供應(yīng)高頻電力而在等離子體處理裝置的腔室內(nèi)生成等離子體的工序。在第1期間，未將負(fù)極性的直流電壓從偏置電源施加到設(shè)置于腔室內(nèi)的基板支承器。等離子體處理方法進(jìn)一步包括在接續(xù)第1期間的第2期間，停止供應(yīng)源自高頻電源的高頻電力的工序。在第2期間，未將負(fù)極性的直流電壓從偏置電源施加到基板支撐器。等離子體處理方法進(jìn)一步包括在接續(xù)第2期間的第3期間，將負(fù)極性的直流電壓從偏置電源施加到基板支承器的工序。在第3期間，未供應(yīng)高頻電力。在第3期間，將負(fù)極性的直流電壓設(shè)定為利用二次電子在腔室內(nèi)生成離子，該二次電子通過(guò)使腔室內(nèi)的離子碰撞基板支承器上的基板而釋放。

根據(jù)一例示性實(shí)施方式，能夠相對(duì)于使用電力提高基板的處理效率。

附圖說(shuō)明

圖1是一例示性實(shí)施方式所涉及的等離子體處理方法的流程圖。

圖2是概略表示一例示性實(shí)施方式所涉及的等離子體處理裝置的圖。

圖3是高頻電力、直流電壓、電子密度及離子密度的一例的時(shí)序圖。

圖4是高頻電力及直流電壓的一例的時(shí)序圖。

圖5是表示一例示性實(shí)施方式所涉及的等離子體處理裝置的高頻電源及偏置電源的結(jié)構(gòu)的圖。

圖6(a)是表示第1期間內(nèi)的等離子體的狀態(tài)及自由基的行為的一例的圖，圖6(b)是表示第3期間內(nèi)的離子的行為的一例的圖，圖6(c)是表示第3期間之后的排氣中的副產(chǎn)物的行為的一例的圖。

圖7是高頻電力及直流電壓的另一例的時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

以下，對(duì)各種例示性實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。

在一例示性實(shí)施方式中，提供一種等離子體處理方法。等離子體處理方法包括在第1期間，通過(guò)從高頻電源供應(yīng)高頻電力而在等離子體處理裝置的腔室內(nèi)生成等離子體的工序。在第1期間，未將負(fù)極性的直流電壓從偏置電源施加到設(shè)置于腔室內(nèi)的基板支承器。等離子體處理方法進(jìn)一步包括在接續(xù)第1期間的第2期間，停止供應(yīng)源自高頻電源的高頻電力的工序。在第2期間，未將負(fù)極性的直流電壓從偏置電源施加到基板支承器。等離子體處理方法進(jìn)一步包括在接續(xù)第2期間的第3期間，將負(fù)極性的直流電壓從偏置電源施加到基板支承器的工序。在第3期間，未供應(yīng)高頻電力。在第3期間，將負(fù)極性的直流電壓設(shè)定為利用二次電子在腔室內(nèi)生成離子，該二次電子通過(guò)使腔室內(nèi)的離子碰撞基板支承器上的基板而釋放。