[發明專利]發光物料影像處理方法在審
| 申請號: | 202011335792.X | 申請日: | 2020-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN112985587A | 公開(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發明(設計)人: | 吳秉穎;劉永欽 | 申請(專利權)人: | 旺矽科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G01J1/42 | 分類號: | G01J1/42;G06T3/40 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 陳曉慶 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 物料 影像 處理 方法 | ||
本發明涉及一種發光物料影像處理方法,其步驟包含:點亮一發光物料的至少部分發光單元;利用一影像擷取裝置分別擷取發光物料的多個區塊的影像,而得到分別對應各區塊的多個檢測影像,各區塊包含多個被點亮的發光單元,各檢測影像包含多個光點,各光點分別對應其所屬檢測影像所對應的區塊的發光單元,每二相鄰的區塊有一重疊區域,重疊區域包含至少一被點亮的發光單元;以及利用重疊區域的至少一被點亮的發光單元所對應的光點作為對位參考點,而將相鄰區塊的檢測影像相互拼接成一體;由此,本發明可將發光物料的全部發光單元的發光情況以單一影像呈現。
技術領域
本發明與發光物料的檢測技術有關,特別是指一種發光物料影像處理方法。
背景技術
習知諸如微發光二極管(micro light-emitting diode;簡稱micro LED)陣列芯片、垂直式共振腔面射型鐳射陣列(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Array;簡稱VCSEL Array)芯片等發光元件的發光,由相當多尺寸微小的發光單元(例如VCSEL Array芯片的出光口或各個micro LED)同時發光,各發光單元可能呈不規則排列且其發光強度不一定相同,使得所述發光元件不一定均勻地發光,因此發光元件的檢測通常包含發光分布檢測,即檢測其發光分布是否達到可接受的均勻程度。
習知發光分布檢測是通過相機擷取一包含有一或多個前述發光元件的待測物料發光時的影像,以拍攝出肉眼所看不出的各發光單元的影像,即檢測影像上會有對應各發光的發光單元的光點,各光點隨著其對應的發光單元的發光強度不同而有不同的明暗程度,即檢測影像上會顯示出有亮有暗的光點,甚至可對應顯示出各光點的亮度值,而使用者通過檢視此檢測影像來判斷待測物料的發光分布情況。
然而,現今的待測物料面積越來越大,其尺寸可能超過一般影像擷取裝置的視野范圍(field of view;簡稱FOV),或者影像擷取鏡頭必須相當靠近待測物料方能拍攝到待測物的細微發光單元,以致影像擷取裝置所能拍攝的范圍只能涵蓋到待測物料的某一部分,如此一來,雖然仍可將待測物料分成多個區域以逐次進行檢測,但如此即無法讓使用者同時觀測到同一待測物料上的全部發光單元的發光情況,而不利于判斷待測物料的發光分布情況。
發明內容
針對上述問題,本發明的主要目的在于提供一種發光物料影像處理方法,可將同一發光物料上的全部發光單元的發光情況以單一影像呈現。
為達到上述目的,本發明所提供的一種發光物料影像處理方法,利用一影像擷取裝置擷取一發光物料的多個發光單元的影像,所述影像擷取裝置的一視野范圍小于所述發光物料的發光單元的分布范圍;其特征在于所述發光物料影像處理方法的步驟包含有:點亮所述發光物料的至少部分發光單元;利用所述影像擷取裝置分別擷取所述發光物料的多個區塊的影像,得到分別對應各所述區塊的多個檢測影像,其中,各所述區塊包含多個被點亮的所述發光單元,各所述檢測影像包含多個光點,各所述光點分別對應其所屬檢測影像所對應的區塊的發光單元,每二相鄰的所述區塊有一重疊區域,所述重疊區域包含至少一被點亮的所述發光單元;以所述重疊區域的至少一所述被點亮的所述發光單元所對應的光點作為對位參考點,將所述相鄰區塊的檢測影像相互拼接成一體。
上述發光物料影像處理方法中,將各所述檢測影像相互拼接的步驟,是根據各所述光點的位置、亮度及尺寸三者至少其中之一,判斷出至少一個分別存在于所述相鄰區塊的檢測影像中對應著所述重疊區域中相同的發光單元的光點,作為所述對位參考點。
所述將各所述檢測影像相互拼接的步驟,是根據各所述光點的亮度相對關系,判斷出多個分別存在于所述相鄰區塊的檢測影像中分別對應著所述重疊區域中相同的發光單元的光點,作為所述對位參考點。
各所述光點的亮度相對關系為各所述光點的亮度值的差值關系。
所述將各所述檢測影像相互拼接的步驟,還包含一調整至少部分檢測影像的光點的亮度值的步驟,使得所述相鄰區塊的檢測影像中對應相同的發光單元的對位參考點的亮度值的差值小于一預定數值。
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