[發明專利]背照式圖像傳感器及其制造方法

在審

• 申請號: 202011333842.0
• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN112349742A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 李振亞;王鵬;高尚;熊子遙
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成金屬材料層；

對所述金屬材料層執行離子轟擊工藝去除至少部分所述金屬材料層頂表面凸起的金屬晶粒；

刻蝕所述金屬材料層以形成金屬柵格層。

2.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述離子轟擊工藝中用于轟擊所述金屬材料層的離子為惰性元素離子和/或氮離子。

3.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，對所述金屬材料層執行離子轟擊工藝的方法包括：

將形成有所述金屬材料層的襯底置于一工藝腔室中，并向所述工藝腔室內通入待解離氣體，對位于所述工藝腔室內的解離電極通電，以使所述待解離氣體解離以生成用于轟擊所述金屬材料層的離子；以及，

在使所述待解離氣體解離的同時，對所述工藝腔室中的離子加速電極通電，以使所述離子朝向所述金屬材料層加速運動，以轟擊所述金屬材料層。

4.如權利要求3所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，對所述解離電極通電的第一供電器的功率為320W～540W，頻率為1.5～2.5MHz。

5.如權利要求3所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，對所述離子加速電極通電的第二供電器的功率為：180W～320W，頻率為1.5～2.5MHz。

6.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，執行所述離子轟擊工藝的時間為：20s～120s。

7.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，在所述襯底上形成所述金屬材料層，以及對所述金屬材料層執行離子轟擊工藝在同一工藝腔室中進行。

8.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，執行所述離子轟擊工藝之后的所述金屬材料層表面的最高點和最低點的高度差小于等于100nm。

9.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，在所述襯底上形成金屬材料層的方法為化學氣相沉積法。

10.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，在對所述金屬材料層執行離子轟擊工藝之前，所述方法還包括：對形成有金屬材料層的襯底進行加熱，所述加熱溫度為：150℃-200℃，加熱時間為30s～60s。

11.一種背照式圖像傳感器，其特征在于，所述背照式圖像傳感器根據如上述權利要求1～10任意一項所述的背照式圖像傳感器的制造方法制備而成。