[發明專利]一種高光磚及其生產工藝

在審

• 申請號: 202011333171.8
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN112390533A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 李雙勝;寧紅軍;陳祚華;操龍飛;曾文中
• 申請（專利權）人: 珠海市斗門區旭日陶瓷有限公司
• 主分類號: C03C8/20
• 分類號: C03C8/20;C04B41/86
• 代理公司: 廣州市紅荔專利代理有限公司 44214
• 代理人: 王賢義

本發明公開并提供了一種磚體密度大、吸水率低的高光磚及其生產工藝。本發明中的高光磚，包括磚坯體，所述磚坯體外噴施有表釉，所述表釉按百分比算，包含以下組分：不透水熔塊70%?85%，鈉長石1%?5%，白云石1%?5%，燒滑石4%?8%，硅酸鋯1%?10%，高嶺土1%?10%。本發明適用于高光磚的生產制作領域。

技術領域

本發明涉及一種高光磚及其生產工藝。

背景技術

高光磚具有釉面光滑、磚面高光的特點，是用以配搭墻磚以及地磚鋪貼的裝飾磚。但一般的高光磚其磚體密度低，磚體吸水率高，吸水率約在5%-10%，容易熱脹冷縮造成瓷磚龜裂的現象，影響磚體外觀以及使用壽命。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是克服現有技術的不足，提供了一種磚體密度大、吸水率低的高光磚及其生產工藝。

本發明中的高光磚，包括磚坯體，所述磚坯體外噴施有表釉，所述表釉按百分比算，包含以下組分：不透水熔塊70%-85%，鈉長石1%-5%，白云石1%-5%，燒滑石4%-8%，硅酸鋯1%-10%，高嶺土1%-10%。

更優地，所述表釉按百分比算，包含以下組分：不透水熔塊78%，鈉長石3%，白云石3%，燒滑石6%，硅酸鋯5%，高嶺土5%。

本發明中用于生產上述高光磚的工藝，包括以下步驟：

A.將磚坯體原料進行球磨過篩，得到泥漿，將表釉的原料分別進行球磨過篩，得到表釉漿；

B.將步驟A所得的泥漿進行噴霧干燥制粉；

C.將步驟B所得的粉料通過高壓壓制成磚坯體；

D.對磚坯體施噴第一層表釉；

E.對磚坯體施噴第二層表釉；

F.燒制成型。

本發明的有益效果在于：本發明的表釉中采用燒滑石代替以往的釉料配方硅酸鋯，使得釉層透水性大大降低，同時本發明中的磚坯體的壓制是采用高壓壓制成型，增加磚體本身的密度，降低磚體吸水率。

本發明的表釉采用兩次施噴，解決坯釉結合狀況和釉面針孔問題，同時雙釉層再次降低透水性，從而降低磚體以及釉面的吸水率。

具體實施方式

本發明中的高光磚，包括磚坯體，所述磚坯體外噴施有表釉，所述表釉按百分比算，包含以下組分：不透水熔塊70%-85%，鈉長石1%-5%，白云石1%-5%，燒滑石4%-8%，硅酸鋯1%-10%，高嶺土1%-10%。

在本具體實施例中，所述表釉按百分比算，包含以下組分：不透水熔塊78%，鈉長石3%，白云石3%，燒滑石6%，硅酸鋯5%，高嶺土5%。

在本發明中，采用燒滑石替代以往的硅酸鋯，提高了釉料的硅和鎂的含量，使得釉料更加不透水，同時成釉后白度高。

本發明中用于生產上述高光磚的工藝，包括以下步驟：

A.將磚坯體原料進行球磨過篩，得到泥漿，將表釉的原料分別進行球磨過篩，得到表釉漿；

B.將步驟A所得的泥漿進行噴霧干燥制粉；

C.將步驟B所得的粉料通過高壓壓制成磚坯體，壓磚的壓力為17Mpa；

D.對磚坯體施噴第一層表釉；

E.對磚坯體施噴第二層表釉；

F.燒制成型。

在本發明中，壓磚的壓力為17Mpa，大于以往的磚體壓制壓力，這樣使得磚體的密度更大，相應地降低透水率以及吸水率。