[發(fā)明專利]單面黑硅制絨方法及由其制作的單面黑硅

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011332677.7
• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN114551615A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設計）人: 曹芳;葉曉亞;周思潔;鄒帥;王栩生
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 宋啟超

1.一種單面黑硅制絨方法，其特征在于，包括以下步驟：

獲取硅片；

在所述硅片待制絨的一側表面形成一層含有催化金屬離子、絡合劑及還原劑的膠體；

對印刷有所述膠體的所述硅片進行加熱，以使所述催化金屬離子被所述還原劑還原，形成附著于所述硅片表面的催化金屬顆粒；

將所述硅片放入酸腐蝕液中進行金屬催化化學腐蝕，以使所述硅片附著有所述催化金屬顆粒的表面形成由腐蝕坑構成的制絨面。

2.根據(jù)權利要求1所述的單面黑硅制絨方法，其特征在于，所述膠體通過絲網(wǎng)印刷形成于所述硅片表面。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的單面黑硅制絨方法，其特征在于，所述單面黑硅用于太陽能電池，所述太陽能電池具有設置于所述單面黑硅制絨面一側的金屬電極，形成于所述硅片表面的膠體在設置所述金屬電極的對應位置處呈鏤空狀。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的單面黑硅制絨方法，其特征在于，所述催化金屬離子為Au⁺、Ag⁺、Cu²⁺、Pt²⁺、Fe³⁺、Ni²⁺或Pd²⁺中的至少一種。

5.根據(jù)權利要求1或2所述的單面黑硅制絨方法，其特征在于，所述絡合劑含有胺基。

6.根據(jù)權利要求5所述的單面黑硅制絨方法，其特征在于，加熱所述膠體的溫度為80-200℃。

7.根據(jù)權利要求1或2所述的單面黑硅制絨方法，其特征在于，所述還原劑含有羧基。

8.根據(jù)權利要求1或2所述的單面黑硅制絨方法，其特征在于，所述酸腐蝕液包括質(zhì)量百分比濃度為5％-20％的HF以及質(zhì)量百分比濃度為1％-10％的氧化劑，所述氧化劑包括H₂O₂、HNO₃及臭氧水中的至少一種。

9.根據(jù)權利要求1或2所述的單面黑硅制絨方法，其特征在于，所述制絨方法還包括采用含有H₂O₂、HCl的溶液對形成有制絨面的硅片進行清洗的步驟。

10.一種單面黑硅，其特征在于，由權利要求1-9任意一項所述單面黑硅制絨方法制作而成。