[發明專利]半導體器件的制備方法以及半導體器件

有效

• 申請號: 202011332020.0
• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN112466817B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 王嘉鴻;童宇誠;陶丹丹
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/8229
• 分類號: H01L21/8229;H01L21/8239;H01L27/102;H01L27/105
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;陳敏

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述襯底上方形成介電層；

在所述介電層上方形成犧牲層；

對所述犧牲層進行圖案化處理，以在所述介電層上方形成犧牲層圖案；其中，所述犧牲層圖案包括沿第一方向的兩個間隔設置的第一邊界圖案單元，以及位于所述第一邊界圖案單元之間且沿第二方向的若干間隔設置的分隔圖案單元；其中，所述第一方向與所述第二方向相交；

在所述犧牲層圖案的每個圖案單元的側壁上形成間隔物；

對所述間隔物之間進行填充，形成包覆所述犧牲層圖案的第一填充層，去除所述第一填充層中的間隔物，以在所述介電層上方形成填充層圖案；其中，所述填充層圖案包括若干與所述分隔圖案單元間隔且交替的填充圖案單元；

在所述犧牲層圖案和所述填充層圖案上方形成掩膜層，并對所述掩膜層進行圖案化處理，以在所述犧牲層圖案和所述填充層圖案上方形成掩膜圖案；其中，所述掩膜圖案包括沿第三方向的若干間隔設置的第一線掩膜圖案單元，以及覆蓋在所述第一邊界圖案單元上的第二線掩膜圖案單元，所述第三方向與所述第二方向相交；

利用所述掩膜圖案對所述分隔圖案單元和所述填充圖案單元進行圖案化處理，以在所述介電層上方形成呈陣列排布的若干犧牲柱和若干填充柱。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述分隔圖案單元與所述第一邊界圖案單元接觸。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述分隔圖案單元與所述第一邊界圖案單元相交，且所述分隔圖案單元延伸至所述第一邊界圖案單元之外。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三方向與所述第一方向相同。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

對所述第一邊界圖案單元、所述犧牲柱和所述填充柱之間進行填充，以形成第二填充層；

去除所述第二填充層中的所述第一邊界圖案單元、所述犧牲柱和所述填充柱，以在所述第二填充層上形成邊界溝槽和呈陣列排布的若干開口；其中，若干所述開口構成開口陣列；

以所述邊界溝槽和所述開口為刻蝕窗口，對所述邊界溝槽和所述開口下方的所述介電層進行刻蝕，以在所述介電層上形成刻蝕溝槽和呈陣列排布的若干刻蝕孔；

在所述刻蝕孔內形成存儲單元，并在所述刻蝕溝槽內形成所述存儲單元的區域邊界。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述犧牲層圖案還包括沿第四方向的兩個間隔設置的第二邊界圖案單元，其中，所述第四方向與所述第一方向垂直，所述第一邊界圖案單元和所述第二邊界圖案單元構成一封閉的邊界圖案。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述開口陣列中，位于所述第四方向邊緣位置的所述開口的形狀與位于內部的所述開口的形狀不一致；

在所述開口陣列沿所述第一方向上，位于所述第四方向邊緣位置的所述開口之間的距離與位于內部的所述開口之間的距離不一致。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述犧牲層進行圖案化處理，以在所述介電層上方形成犧牲層圖案，包括以下步驟：

在所述犧牲層上方形成第一光致抗蝕劑層；

通過第一掩膜版對所述第一光致抗蝕劑層進行圖案化處理，以形成光致抗蝕劑圖案；

通過所述光致抗蝕劑圖案，對所述犧牲層進行刻蝕，以在所述介電層上方形成犧牲層圖案；

去除所述光致抗蝕劑圖案。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述犧牲層圖案的每個圖案單元的側壁上形成間隔物，包括以下步驟：

通過原子層沉積的方法在所述犧牲層圖案的每個圖案單元的上方及其側壁上形成氧化物層；

對所述氧化物層進行回蝕工藝，以在所述犧牲層圖案的每個圖案單元的側壁上形成間隔物。