[發明專利]使用光伏源極的晶體管的反向本體偏置

在審

• 申請號: 202011331613.5
• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN112838856A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: F·卡克林
• 申請（專利權）人: 意法半導體(RD)有限公司
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 羅利娜

1.一種電路，包括：

金屬氧化物半導體MOS晶體管，具有源極端子、漏極端子、柵極端子和本體端子；

其中所述源極端子被連接以接收電源電壓；以及

光伏電路，具有被連接到所述MOS晶體管的所述源極端子的第一端子以及被連接到所述MOS晶體管的所述本體端子的第二端子，其中所述光伏電路轉換接收到的光子以生成被施加到所述MOS晶體管的所述本體端子的反向本體偏置電壓。

2.根據權利要求1所述的電路，其中所述MOS晶體管是p溝道晶體管，所述電源電壓是正電壓Vdd，并且所述反向本體偏置電壓是更正的電壓VddsVdd。

3.根據權利要求2所述的電路，其中所述p溝道MOS晶體管是數字邏輯門的電路部件。

4.根據權利要求1所述的電路，其中所述MOS晶體管是n溝道晶體管，所述電源電壓是接地電壓Gnd，并且所述反向本體偏置電壓是更負的電壓GndsGnd。

5.根據權利要求4所述的電路，其中所述n溝道MOS晶體管是數字邏輯門的電路部件。

6.根據權利要求1所述的電路，其中所述光伏電路包括光伏二極管，其中所述第一端子是所述光伏二極管的陰極，并且所述第二端子是所述光伏二極管的陽極。

7.根據權利要求1所述的電路，其中所述光伏電路包括光伏二極管，其中所述第一端子是所述光伏二極管的陽極，并且所述第二端子是所述光伏二極管的陰極。

8.根據權利要求1所述的電路，其中所述光伏電路包括在電路網絡中電連接的多個光伏二極管，其中所述第一端子是所述多個光伏二極管中至少一個光伏二極管的陰極，并且所述第二端子是至少一個所述光伏二極管的陽極。

9.根據權利要求8所述的電路，其中所述電路網絡是所述多個光伏二極管的并聯電連接。

10.根據權利要求8所述的電路，其中所述電路網絡是所述多個光伏二極管的串聯電連接。

11.根據權利要求1所述的電路，其中所述光伏電路包括在電路網絡中電連接的多個光伏二極管，其中所述第一端子是所述多個光伏二極管中至少一個光伏二極管的陽極，并且所述第二端子是至少一個所述光伏二極管的陰極。

12.根據權利要求11所述的電路，其中所述電路網絡是所述多個光伏二極管的并聯電連接。

13.根據權利要求11所述的電路，其中所述電路網絡是所述多個光伏二極管的串聯電連接。

14.根據權利要求1所述的電路，還包括成像電路，其中所述成像電路包括像素的陣列，其中所述陣列的第一像素形成光電檢測器的陣列，并且其中所述陣列的第二像素形成所述光伏電路。

15.根據權利要求14所述的電路，其中所述第二像素被布置在環形區域中，所述環形區域圍繞形成所述光電檢測器的陣列的所述第一像素。

16.根據權利要求14所述的電路，其中每個第二像素由光伏二極管形成，其中所述第一端子是所述光伏二極管的陰極，并且所述第二端子是所述光伏二極管的陽極。

17.根據權利要求14所述的電路，其中每個第二像素由光伏二極管形成，其中所述第一端子是所述光伏二極管的陽極，并且所述第二端子是所述光伏二極管的陰極。

18.根據權利要求14所述的電路，所述電路被實現為成像集成電路。

19.根據權利要求1所述的電路，所述電路被實現為集成電路。