[發(fā)明專利]一種AlGaN基深紫外LED外延片及制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011329853.1
• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN112271240A
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高芳亮;楊金銘
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市昂德環(huán)球科技有限公司;惠州市三航無人機技術(shù)研究院
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳市精英專利事務(wù)所 44242
• 代理人: 武志峰

1.一種AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，包括：生長在藍寶石襯底上的SiN層、生長在所述SiN層上的多個GaN納米柱、對應(yīng)包裹在所述多個GaN納米柱外層的多個AlN納米柱殼層、對應(yīng)包裹在所述多個AlN納米柱殼層外層的多個AlGaN納米柱殼層、生長在所述多個AlGaN納米柱殼層上的非摻雜AlGaN層、生長在所述非摻雜AlGaN層上的n型摻雜AlGaN層、生長在所述n型摻雜AlGaN層上的AlGaN多量子阱層、生長在所述AlGaN多量子阱層上的電子阻擋層、生長在所述電子阻擋層上的p型摻雜AlGaN層、生長在所述p型摻雜AlGaN層上的p型摻雜GaN層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，單個所述GaN納米柱的直徑為50～200nm，高度為300～2000nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，單個所述AlN納米柱殼層的厚度為50～150nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，單個所述AlGaN納米柱殼層的厚度為50～150nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述非摻雜AlGaN層的厚度為500～800nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述n型摻雜AlGaN層的厚度為3～5μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述AlGaN多量子阱層由7～10個周期的Al_0.3Ga_0.7N阱層和Al_0.5Ga_0.5N壘層構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述Al_0.3Ga_0.7N阱層的厚度為2～3nm，所述Al_0.5Ga_0.5N壘層的厚度為10～13nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述電子阻擋層為Al_0.4Ga_0.6N電子阻擋層，所述電子阻擋層的厚度為20～50nm。

10.一種如權(quán)利要求1～9任一項所述的AlGaN基深紫外LED外延片的制備方法，其特征在于，包括：

選取藍寶石襯底；

在所述藍寶石襯底上生長SiN層；

在所述SiN層上生長多個GaN納米柱；

在所述多個GaN納米柱外層對應(yīng)生長多個AlN納米柱殼層；

在所述多個AlN納米柱殼層上對應(yīng)生長多個AlGaN納米柱殼層；

在所述多個AlGaN納米柱殼層上生長非摻雜AlGaN層；

在所述非摻雜AlGaN層上生長n型摻雜AlGaN層；

在所述n型摻雜AlGaN層上生長AlGaN多量子阱層；

在所述AlGaN多量子阱層上生長電子阻擋層；

在所述電子阻擋層上生長p型摻雜AlGaN層；

在所述p型摻雜AlGaN層上生長p型摻雜GaN層。