[發(fā)明專利]一種像素化閃爍體薄膜及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011329304.4
• 申請(qǐng)日: 2020-11-24
• 公開（公告）號(hào): CN112538346A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐江;趙雪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)鄂州工業(yè)技術(shù)研究院;華中科技大學(xué)
• 主分類號(hào): C09K11/61
• 分類號(hào): C09K11/61;C09K11/02
• 代理公司: 北京眾達(dá)德權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570
• 代理人: 詹守琴

1.一種像素化閃爍體薄膜，其特征在于，所述閃爍體薄膜包括多孔基體，所述多孔基體為多孔氧化鋁模板，所述多孔氧化鋁模板的孔內(nèi)填充有閃爍體，所述閃爍體的組成成分包括Cs₃Cu₂X₅，其中，X為鹵素元素。

2.據(jù)權(quán)利要求1所述的像素化閃爍體薄膜，其特征在于，所述鹵素元素為Cl、Br和I中的至少一種。

3.一種像素化閃爍體薄膜的制備方法，用以制備如權(quán)利要求1或2所述的像素化閃爍體薄膜，其特征在于，所述方法包括：

獲得所述Cs₃Cu₂X₅晶體；

將所述Cs₃Cu₂X₅晶體進(jìn)行熔融，獲得Cs₃Cu₂X₅熔體；

將所述Cs₃Cu₂X₅熔體填充于所述多孔氧化鋁模板的孔內(nèi)，后壓制并冷卻，獲得閃爍體薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素化閃爍體薄膜的制備方法，其特征在于，所述獲得所述Cs₃Cu₂X₅晶體，具體操作包括：

將CsX和CuX進(jìn)行稱取，后加入到HX溶液，加熱獲得Cs₃Cu₂X₅透明溶液；其中X為鹵素元素；

將所述Cs₃Cu₂X₅透明溶液進(jìn)行降溫，獲得所述Cs₃Cu₂X₅晶體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素化閃爍體薄膜的制備方法，其特征在于，所述Cs₃Cu₂X₅透明溶液中，所述CsX和CuX的濃度為0.12mol L^-1-0.22mol L^-1。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素化閃爍體薄膜的制備方法，其特征在于，所述將所述Cs₃Cu₂X₅透明溶液進(jìn)行降溫，具體操作包括：

將所述Cs₃Cu₂X₅透明溶液以1℃/min-5℃/min的速度進(jìn)行降溫，直至降至室溫。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素化閃爍體薄膜的制備方法，其特征在于，所述獲得所述Cs₃Cu₂X₅，還包括步驟：

向所述Cs₃Cu₂X₅透明溶液中加入次磷酸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素化閃爍體薄膜的制備方法，其特征在于，所述次磷酸體積占總?cè)芤后w積的2％-10％。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素化閃爍體薄膜的制備方法，其特征在于，所述獲得所述Cs₃Cu₂X₅，具體步驟包括：

用異丙醇沖洗所述Cs₃Cu₂X₅晶體，后進(jìn)行真空干燥，獲得所述Cs₃Cu₂X₅晶體。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素化閃爍體薄膜的制備方法，其特征在于，所述壓制并冷卻，具體步驟包括：在所述多孔氧化鋁模板上方放置一預(yù)熱好的壓片，所述壓片向所述多孔氧化鋁模板施加壓力，所述壓力對(duì)所述多孔氧化鋁模板產(chǎn)生的壓強(qiáng)為500Pa-2000Pa，冷卻至室溫。