[發明專利]氮化鎵基發光二極管外延片及其制造方法在審
| 申請號： | 202011329187.1 | 申請日： | 2020-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN112510125A | 公開（公告）日： | 2021-03-16 |
| 發明（設計）人： | 曹陽;陸香花;丁濤;呂蒙普;梅勁 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 發光二極管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一種氮化鎵基發光二極管外延片，所述氮化鎵基發光二極管外延片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、N型層、有源層和P型層，其特征在于，
所述氮化鎵基發光二極管外延片還包括位于所述緩沖層和所述N型層之間的復合層，所述復合層包括依次層疊的第一子層、第二子層、第三子層和第四子層，所述第一子層為U型GaN層，所述第二子層為AlN層，所述第三子層為摻Si的GaN層，所述第四子層為U型GaN層。
2.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述第二子層為AlxN層，0＜x≤0.1。
3.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述第三子層中Si的摻雜濃度為1017cm-3～1018cm-3。
4.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述第一子層的厚度與所述第四子層的厚度相等，所述第一子層的厚度大于所述第三子層的厚度，所述第三子層的厚度大于所述第二子層的厚度。
5.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述復合層的厚度為1～5um。
6.根據權利要求1至5任一項所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述氮化鎵基發光二極管外延片還包括位于在所述N型層和所述有源層之間的N型AlGaN層。
7.一種氮化鎵基發光二極管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上生長緩沖層；
在所述緩沖層上生長復合層，所述復合層包括依次層疊的第一子層、第二子層、第三子層和第四子層，所述第一子層為U型GaN層，所述第二子層為AlN層，所述第三子層為摻Si的GaN層，所述第四子層為U型GaN層；
在所述復合層上生長依次生長N型層、有源層和P型層。
8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第一子層、所述第三子層和所述第四子層的生長溫度相同，所述第二子層的生長溫度大于所述第一子層的生長溫度。
9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第二子層的生長溫度比所述第一子層的生長溫度大100～200℃。
10.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第二子層的生長壓力為0～30torr。
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