[發明專利]一種對存儲器陣列進行預充電方法、電路和存儲器芯片

在審

• 申請號: 202011327214.1
• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN112397130A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 托西德拉扎;蘇茲爾詹;鈴木瑞恩
• 申請（專利權）人: 深圳愛思存儲科技有限公司
• 主分類號: G11C16/24
• 分類號: G11C16/24;G11C16/30;G11C16/04
• 代理公司: 深圳睿臻知識產權代理事務所(普通合伙) 44684
• 代理人: 張海燕

本申請實施例提供了一種讀操作時對存儲器位線進行預充電方法、電路和存儲器芯片，通過在存儲陣列中增加一條預充電位線輔助預充電，整個存儲器陣列可以共享預充電電路，既節省了成本，還把預充電的速度提高了一倍，從而提高了讀出速度。

技術領域

本申請各實施例屬于存儲器件領域，具體涉及一種對存儲器陣列進行預充電的方法、電路和存儲器芯片。

背景技術

在存儲器中，給位線預充電是常用的提高讀出速度的手段，一般使用差分放大器產生讀出結果，在讀操作采樣之前，信號輸入端連接的位線和參考端都預充電至電源電壓的一半，然后打開某一行上的存儲單元，不同狀態的存儲單元會增加位線電壓或降低位線電壓，然后差分放大器開始采樣輸出結果，這樣的方法在NAND存儲器中是比較標準的操作。

在專利號為US6175523中，每一列位線都有自己的預充電電路，存在如下缺陷，每一列都有預充電電路，占晶圓面積大，影響成本；預充電比較慢，對于NAND閃存，因為位線上會有很大的寄生電容，預充電時間常常超過5微秒，再加上生產制成工藝的不均勻，常常預充電還會更慢。

發明內容

本申請實施例目的在于克服上述問題或者至少部分地解決或緩減上述問題，本申請提供了對存儲器陣列進行預充電方法、電路和存儲器芯片。

第一方面，本申請實施例提供了一種對存儲器陣列進行預充電方法，所述存儲器陣列包括按行和列布置的存儲單元，所述存儲器陣列中設置一條預充電位線，所述方法包括：

通過公共預充電電路將預充電位線充電至第一電壓，同時通過偏置電壓產生電路將預充電位線上的電壓產生偏置電壓供讀電路使用；

將被選中的存儲器陣列中的位線與預充電位線和預充電電路接通，將被選中的位線充電至第二電壓，其中，第二電壓小于第一電壓；

將所述被選中的存儲器陣列中的位線與預充電位線和預充電電路斷開以進行讀操作。

與現有技術相比，本申請第一方面提供的實施例通過在存儲陣列中增加一條預充電位線輔助預充電，整個存儲器陣列可以共享預充電電路，既節省了成本，還把預充電的速度提高了一倍，從而提高了讀出速度。

第二方面，本申請實施例提供了一種對存儲器陣列進行預充電電路，所述電路包括：公共預充電電路、存儲器陣列和偏置電壓產生電路，所述存儲器陣列中設置一條預充電位線，所述偏置電壓產生電路與所述預充電位線連接，所述公共預充電電路與所述偏置電壓產生電路和所述預充電位線連接的公共線連接，所述預充電位線通過列選擇電路與所述存儲器陣列連接，以便通過預充電位線對被選中的存儲器陣列中的位線充電；所述偏置電壓產生電路輸入端與所述預充電位線連接，以便通過預充電位線上的電壓產生偏置電壓供讀電路使用。

與現有技術相比，本申請第二方面提供的實施例的有益效果與第一方面相同，在此不再贅述。

第三方面，本申請還提供了一種存儲器芯片，所述芯片包括第二方面所述的任一項技術方案對存儲器陣列進行預充電的電路。

與現有技術相比，本申請第三方面提供的實施例的有益效果與第一方面相同，在此不再贅述。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解，構成本申請的一部分，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構成對本申請的不當限定。后文將參照附圖以示例性而非限制性的方式詳細描述本申請的一些具體實施例。附圖中相同的附圖標記標示了相同或類似的部件或部分，本領域技術人員應該理解的是，這些附圖未必是按比例繪制的，在附圖中：

圖1為本申請一個具體實施例中提供的一種對存儲器陣列進行預充電方法流程圖；

圖2為本申請一個具體實施例中提供的一種對存儲器陣列進行預充電電路結構圖。

具體實施方式