[發明專利]一種基于碲鋅鎘的空間帶電粒子望遠鏡有效
| 申請號: | 202011324287.5 | 申請日: | 2020-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN112462409B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發明(設計)人: | 屈衛衛;楊夢夢;周光明 | 申請(專利權)人: | 蘇州大學 |
| 主分類號: | G01T1/24 | 分類號: | G01T1/24;G01T1/36;G01T1/38 |
| 代理公司: | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 朱振德 |
| 地址: | 215000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 碲鋅鎘 空間 帶電 粒子 望遠鏡 | ||
1.一種基于碲鋅鎘的空間帶電粒子望遠鏡,其特征在于,包括外罩,所述外罩的頂端設有開口,所述外罩內設有安裝座,所述安裝座上從上至下依次設置有Si半導體探測器、第一CZT探測器和第二CZT探測器,所述Si半導體探測器和第一CZT探測器組成第一組ΔE-E探測器系統,所述第一CZT探測器和第二CZT探測器組成第二組ΔE-E探測器系統,所述第一組ΔE-E探測器系統和第二組ΔE-E探測器系統配合分別對不同能量的帶電粒子進行測量。
2.如權利要求1所述的基于碲鋅鎘的空間帶電粒子望遠鏡,其特征在于,所述第一組ΔE-E探測器系統可探測10-60MeV的質子,所述第二組ΔE-E探測器系統可探測60-90MeV的質子。
3.如權利要求1所述的基于碲鋅鎘的空間帶電粒子望遠鏡,其特征在于,所述Si半導體探測器的直徑為10mm,厚度為300μm,所述第一CZT探測器和第二CZT探測器均為立方體,邊長均為10mm。
4.如權利要求1所述的基于碲鋅鎘的空間帶電粒子望遠鏡,其特征在于,所述Si半導體探測器對應的PCB板設于Si半導體探測器和第一CZT探測器之間,所述第一CZT探測器對應的PCB板設于第一CZT探測器和第二CZT探測器之間,所述第二CZT探測器對應的PCB板設于第二CZT探測器的底部。
5.如權利要求4所述的基于碲鋅鎘的空間帶電粒子望遠鏡,其特征在于,所述安裝座設有上下貫通的腔體,所述Si半導體探測器對應的PCB板設置于所述腔體頂部,所述第一CZT探測器對應的PCB板設置于所述腔體內,所述第二CZT探測器對應的PCB板設置于所述腔體底部。
6.如權利要求5所述的基于碲鋅鎘的空間帶電粒子望遠鏡,其特征在于,所述Si半導體探測器對應的PCB板、第一CZT探測器對應的PCB板和第二CZT探測器對應的PCB板均通過螺絲固定于所述安裝座上。
7.如權利要求4所述的基于碲鋅鎘的空間帶電粒子望遠鏡,其特征在于,所述Si半導體探測器對應的PCB板、第一CZT探測器對應的PCB板和第二CZT探測器對應的PCB板上均設有供帶電粒子通過的通孔。
8.如權利要求5所述的基于碲鋅鎘的空間帶電粒子望遠鏡,其特征在于,所述外罩內設置有溫度傳感器,所述溫度傳感器用于測量所述Si半導體探測器、第一CZT探測器和第二CZT探測器的溫度,用于對探測器的能譜進行峰漂 的修正。
9.如權利要求1所述的基于碲鋅鎘的空間帶電粒子望遠鏡,其特征在于,所述開口設置有鍍鋁聚酯薄膜。
10.如權利要求1所述的基于碲鋅鎘的空間帶電粒子望遠鏡,其特征在于,外罩的底部設置有與所述Si半導體探測器、第一CZT探測器和第二CZT探測器連接的插頭,所述插頭可通過線纜與數據獲取系統上位機連接。
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