[發明專利]一種熒光免疫檢測芯片及其制備方法在審
| 申請號： | 202011323877.6 | 申請日： | 2020-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN112611861A | 公開（公告）日： | 2021-04-06 |
| 發明（設計）人： | 劉揚;湯從海;徐紅星 | 申請（專利權）人： | 武漢世紀康敏生物科技有限公司 |
| 主分類號： | G01N33/543 | 分類號： | G01N33/543;G01N33/544;G01N33/531;B81C1/00 |
| 代理公司： | 武漢藍寶石專利代理事務所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人： | 高蘭 |
| 地址： | 430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區高新大道818號*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 熒光 免疫 檢測 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種熒光免疫檢測芯片，包括基底(1)，其特征在于：所述基底(1)采用紫外光固化材料，所述基底(1)表面設置有周期性納米凹槽陣列，所述基底(1)上表面設置有金屬層(2)，所述金屬層(2)上表面設置有氧化層(3)，所述氧化層(3)上表面經過高分子層修飾后用封閉液(4)封閉。
2.根據權利要求1所述的一種熒光免疫檢測芯片，其特征在于：所述金屬層(2)的厚度為100nm～500nm。
3.根據權利要求1所述的一種熒光免疫檢測芯片，其特征在于：所述金屬層(2)包括下層的金屬黏附層(21)和上層的貴金屬層(22)。
4.根據權利要求3所述的一種熒光免疫檢測芯片，其特征在于：所述金屬黏附層(21)厚度為4nm～50nm。
5.根據權利要求3所述的一種熒光免疫檢測芯片，其特征在于：所述貴金屬層(22)厚度為100nm～400nm。
6.根據權利要求3所述的一種熒光免疫檢測芯片，其特征在于：所述金屬黏附層(21)的金屬為Cr、Ti中的一種或一種以上的組合。
7.根據權利要求3所述的一種熒光免疫檢測芯片，其特征在于：所述貴金屬層(22)的金屬為Au、Ag、Cu和Pt中的一種或一種以上的組合。
8.根據權利要求1所述的一種熒光免疫檢測芯片，其特征在于：所述周期性納米凹槽陣列的周期為100nm～3000nm。
9.根據權利要求1所述的一種熒光免疫檢測芯片，其特征在于：所述周期性納米凹槽陣列的單個凹槽的直徑為50nm～2000nm。
10.根據權利要求1所述的一種熒光免疫檢測芯片，其特征在于：所述周期性納米凹槽陣列的單個凹槽的深度為10nm～500nm。
11.根據權利要求1所述的一種熒光免疫檢測芯片，其特征在于：所述氧化層(3)的厚度為100nm～600nm。
12.根據權利要求1所述的一種熒光免疫檢測芯片，其特征在于：所述氧化層(3)的氧化物為SiO2、ZnO、Al2O3、TiO2、MgF2中的一種或一種以上的組合。
13.根據權利要求1所述的一種熒光免疫檢測芯片，其特征在于：所述氧化層(3)上表面經過硅烷偶聯劑修飾。
14.根據權利要求14所述的一種熒光免疫檢測芯片，其特征在于：所述硅烷偶聯劑為(3--縮水甘油丙氧基)三甲氧基硅烷、1H，1H，2H，2H-全氟辛基三乙氧基硅烷、KH-1332十三氟辛基三乙氧基硅烷和3-巰基丙基-三甲氧基硅烷中的一種。
15.一種權利要求1～14所述的熒光免疫檢測芯片的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
S1.制備模板：取帶有氧化硅層的單晶硅/石英襯底，采用光刻蝕的方式在表面加工出與基底(1)表面設置的周期性納米凹槽陣列形狀相反的納米孔陣列，制得模板；
S2.制備基底(1)：利用步驟S1制備的模板，通過紫外硬化壓印光刻方式制得帶有周期性納米凹槽陣列的紫外光固化材料的基底(1)；
S3.沉積：在步驟S2制得的基底(1)上依次沉積金屬層(2)和氧化層(3)，制得芯片基體；
S4.包被抗體：將步驟S3制得的芯片基體表面用高分子層修飾后用封閉液層(4)封閉，制得最終的生物芯片。
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