[發明專利]一種厚膜聲表面波濾波器干法刻蝕工藝方法

在審

• 申請號: 202011319693.2
• 申請日: 2020-11-23
• 公開（公告）號: CN112600530A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 景蘇鵬;張雪奎
• 申請（專利權）人: 景蘇鵬
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25;H03H9/64
• 代理公司: 蘇州金項專利代理事務所(普通合伙) 32456
• 代理人: 金星

本發明公開了一種厚膜聲表面波濾波器干法刻蝕工藝方法，包括以下步驟：S1、將聲表器件放入等離子刻蝕腔體內；S2、抽真空；3、往等離子刻蝕腔體內通入45?55sccm的BCl₃、9?12sccm的Cl₂、13?16sccm的N₂混合氣體進行一次刻蝕；S4、停止充入BCl₃和Cl₂氣體，N₂的流量控制為14?15sccm；S5、停頓；S6、二次刻蝕；S7、二次鈍化。該干法刻蝕工藝方法能夠實現厚膜聲表器件的干法刻蝕，保證了器件指條線寬均勻，產品的性能穩定。

技術領域

本發明涉及一種干法刻蝕工藝方法，尤其涉及一種厚膜聲表面波濾波器干法刻蝕工藝方法。

背景技術

隨著現代移動通信的蓬勃發展，聲表面波濾波器(SAWF簡稱聲表)種類越來越多，不同頻率，不同設計結構其工藝要求也不盡相同，因此對工藝設計也提出了相應的更高要求，所沉積的合金金屬薄膜厚度范圍從通常的幾百埃到5000埃左右發展到更厚，合金金屬薄膜甚至達到10000埃以上。

傳統的干法刻蝕工藝對刻蝕常規的幾百埃到5000埃合金金屬膜，過程控制比較容易，且聲表器件指條表面不會有太多不良狀況。但對于超過5000埃以上甚至更厚的合金金屬膜，刻蝕時就會有指條側向腐蝕嚴重、表面有異物附著、整個晶圓表面發黑等狀況發生，造成產品不良甚至報廢。圖一清楚地表達了利用現有的干法刻蝕工藝用于厚膜聲表面波濾波器上得到的缺陷。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種厚膜聲表面波濾波器干法刻蝕工藝方法，該干法刻蝕工藝方法能夠實現厚膜聲表器件的干法刻蝕，保證了器件指條線寬均勻，產品的性能穩定。

為解決上述技術問題，本發明的技術方案是：一種厚膜聲表面波濾波器干法刻蝕工藝方法，包括以下步驟：

S1、將表面沉積了金屬薄膜的聲表器件放入等離子刻蝕腔體內；

S2、抽真空使等離子刻蝕腔體內的壓力為1×10^-3pa；

S3、一次刻蝕

控制等離子刻蝕腔體的RF電源的輸出功率為300W，給等離子刻蝕腔體內提供持續的電場；往等離子刻蝕腔體內通入45-55sccm的BCl₃、9-12sccm的Cl₂、13-16sccm的N₂混合氣體進行一次刻蝕，刻蝕時間為t1；

S4、一次鈍化

停止充入BCl₃和Cl₂氣體，N₂的流量控制為14-15sccm，RF電源功率輸出功率為160W，N₂持續電離20秒轟擊附著在聲表器件表面的反應副產物，隨后N₂流量在5秒內勻速降至零，此時關閉RF電源，期間持續抽真空；

S5、停頓

啟動抽真空系統對等離子刻蝕腔室進行抽真空，停頓時間為3-5秒；期間持續抽著空使等離子刻蝕腔室內的壓力為1×10^-3pa；

S6、二次刻蝕

控制等離子刻蝕腔體的RF電源的輸出功率為300W，給等離子刻蝕腔體內提供持續的電場；往等離子刻蝕腔體內通入50-55sccm的BCl₃、10-12sccm的Cl₂、15-16sccm的N₂混合氣體進行一次刻蝕，刻蝕時間為t2；

S7、二次鈍化