[發(fā)明專利]晶圓自制背封結(jié)構(gòu)的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011319117.8
• 申請日: 2020-11-23
• 公開（公告）號: CN112382556B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 閆玉琴;王柯;程劉鎖;白旭東;范曉;王函
• 申請（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 欒美潔

1.一種晶圓自制背封結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1，在晶圓的背面生長第一薄膜層，所述第一薄膜層為高溫氧化物膜層；

步驟S2，將所述晶圓旋轉(zhuǎn)一角度，使旋轉(zhuǎn)后的所述晶圓和晶舟的接觸處與旋轉(zhuǎn)前的所述晶圓和晶舟的接觸處不重合；

步驟S3，在所述晶圓的背面生長第二薄膜層，所述第二薄膜層為高溫氧化物膜層，所述第一薄膜層和所述第二薄膜層的厚度相同，所述第一薄膜層和所述第二薄膜層組成背封結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓自制背封結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在步驟S2中，晶圓旋轉(zhuǎn)的角度為30°～60°。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓自制背封結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在步驟S2中，晶圓旋轉(zhuǎn)的角度為45°。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓自制背封結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在步驟S2中，順時針旋轉(zhuǎn)所述晶圓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓自制背封結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在步驟S2中，逆時針旋轉(zhuǎn)所述晶圓。