[發明專利]影像感測元件及其制作方法

在審

• 申請號: 202011318904.0
• 申請日: 2020-11-23
• 公開（公告）號: CN114530465A
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 詹兆堯;丁乾威;蔣曉宏;戴錦華
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種影像感測元件，其特征在于，包含：

基底；

第一電路層，位于該基底上；以及

至少一納米線感光二極管，位于該第一電路層上并且與該第一電路層電連接，其中該納米線感光二極管包含有下方材料層以及上方材料層，該下方材料層與該上方材料層之間具有P-N結或者蕭特基結(Schottky junction)，其中該下方材料層包含有鈣鈦礦(perovskite)材質。

2.如權利要求1所述的影像感測元件，其中該鈣鈦礦(perovskite)材質的分子式通式為ABX₃，其中A包含甲基胺離子、甲脒離子、金屬銫離子(Cs⁺)，B包含金屬陽離子(Pb²⁺,Sn²⁺,Bi²⁺)，X包含鹵素陰離子(Cl^-,Br^-,I^-)。

3.如權利要求2所述的影像感測元件，其中該鈣鈦礦(perovskite)材質包含MAPbI₃(甲基氨基碘化鉛)、FASnCl₃、FASnBr₃、FASnI₃、FASnCl_xBr_yI_3-x-y、MASnCl₃、MASnBr₃、MASnI₃、MASnCl_xBr_yI_3-x-y、CsSnCl₃、CsSnBr₃、CsSnI₃、CsSnCl_xBr_yI_3-x-y、FAPbCl₃、FAPbBr₃、FAPbI₃、FAPbCl_xBr_yI_3-x-y、MAPbCl₃、MAPbBr₃、MAPbI₃、MAPbCl_xBr_yI_3-x-y、CsPbCl₃、CsPbBr₃、CsPbI₃、CsPbCl_xBr_yI_3-x-y、FABiCl₃、FABiBr₃、FABiI₃、FABiCl_xBr_yI_3-x-y、MABiCl₃、MABiBr₃、MABiI₃、MABiCl_xBr_yI_3-x-y、CsBiCl₃、CsBiBr₃、CsBiI₃、CsBiCl_xBr_yI_3-x-y，其中所述參數x與y介于0到3的范圍。

4.如權利要求1所述的影像感測元件，其中該鈣鈦礦材質包含N型導電型態，該上方材料層具有P型導電型態。

5.如權利要求1所述的影像感測元件，其中該上方材料層包含金屬氧化物層。

6.如權利要求5所述的影像感測元件，其中該上方材料層包含MnO₃(三氧化鉬)、V₂O₅、WO₃、Si、Ge、GaAs、GaN、WSe₂、NiO、Cu₂O、CuO、TCNQ(Tetracyanoquinodimethane，四氰基對苯二醌二甲烷)、F4-TCNQ。