[發明專利]基板處理方法、基板處理裝置以及配方選擇方法

在審

• 申請號: 202011317720.2
• 申請日: 2020-11-23
• 公開（公告）號: CN112885719A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 秋山勝哉;吉田幸史;張松
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/67
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

1.一種基板處理方法，對具有表面的基板進行處理，所述表面存在互不相同的物質露出的第一區域及第二區域，所述基板處理方法的特征在于，包括：

前處理液供給工序，將前處理液供給于所述基板的表面；

前處理膜形成工序，使供給于所述基板的表面的所述前處理液固化或硬化，在所述基板的表面形成前處理膜，所述前處理膜保持存在于所述基板的表面的第一除去對象物；

前處理膜剝離工序，對所述基板的表面供給剝離液，將保持所述第一除去對象物的狀態的所述前處理膜從所述基板的表面剝離；

處理液供給工序，在所述前處理膜剝離工序之后，將處理液供給于所述基板的表面；

處理膜形成工序，使供給于所述基板的表面的處理液固化或硬化，在所述基板的表面形成處理膜，所述處理膜保持存在于所述基板的表面的所述第一除去對象物；以及

處理膜剝離工序，對所述基板的表面供給剝離液，將保持所述第一除去對象物的狀態的所述處理膜從所述基板的表面剝離，且

所述處理膜將存在于所述第二區域的所述第一除去對象物除去的除去力高于所述前處理膜將存在于所述第二區域的所述第一除去對象物除去的除去力，

所述前處理膜將存在于所述第一區域的所述第一除去對象物除去的除去力高于所述處理膜將存在于所述第一區域的所述第一除去對象物除去的除去力。

2.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

將所述第一除去對象物除去的除去力是由保持力及剝離性所構成，所述保持力將存在于所述第一區域或所述第二區域的所述第一除去對象物保持于所述處理膜或所述前處理膜，所述剝離性表示保持所述第一除去對象物的狀態的所述處理膜或所述前處理膜的剝離容易度，

所述第一區域中，所述前處理膜的剝離性高于所述處理膜，

所述第二區域中，所述處理膜的保持力高于所述前處理膜。

3.根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其特征在于，

所述第一區域為金屬露出的露出區域，

所述第二區域為所述露出區域以外的非露出區域，

所述處理膜將存在于所述非露出區域的所述第一除去對象物除去的除去力高于所述前處理膜將存在于所述非露出區域的所述第一除去對象物除去的除去力，

所述前處理膜將存在于所述露出區域的所述第一除去對象物除去的除去力高于所述處理膜將存在于所述露出區域的所述第一除去對象物除去的除去力。

4.根據權利要求3所述的基板處理方法，其特征在于，還包括：

處理膜殘渣除去工序，在所述處理膜剝離工序之后，對所述基板的表面供給除去液，將殘留于所述基板的表面的所述處理膜的殘渣除去。

5.根據權利要求4所述的基板處理方法，其特征在于，

所述處理膜剝離工序包含：不將所述處理膜中覆蓋所述露出區域的部分剝離，而將所述處理膜中覆蓋所述非露出區域的部分剝離的工序，

所述處理膜殘渣除去工序包含：使所述處理膜中覆蓋所述露出區域的部分溶解于所述除去液而除去的工序。

6.根據權利要求3所述的基板處理方法，其特征在于，

所述處理膜形成工序包含：在所述基板的表面形成具有剝離對象膜及保護膜的所述處理膜的工序，所述剝離對象膜保持存在于所述基板的表面的所述非露出區域的所述第一除去對象物并被覆所述非露出區域，所述保護膜被覆所述露出區域而進行保護，

所述基板處理方法還包括：清洗工序，在所述處理膜剝離工序之后，對所述基板的表面供給清洗液，利用所述清洗液將存在于所述基板的表面的第二除去對象物溶解而除去。

7.根據權利要求6所述的基板處理方法，其特征在于，還包括：

處理膜殘渣除去工序，在所述處理膜剝離工序之后，對所述基板的表面供給除去液，將殘留于所述基板的表面的所述處理膜的殘渣除去，

所述處理膜殘渣除去工序包含：將所述保護膜作為所述殘渣而除去的工序。

8.根據權利要求7所述的基板處理方法，其特征在于，

所述第一除去對象物及所述第二除去對象物為因干式蝕刻處理而產生的殘渣。