[發明專利]一種IPD吸收式高通濾波器在審
| 申請號： | 202011317079.2 | 申請日： | 2020-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN112422096A | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發明（設計）人： | 李小珍;代傳相;邢孟江;劉永紅;張志剛;侯明 | 申請（專利權）人： | 昆明學院 |
| 主分類號： | H03H7/01 | 分類號： | H03H7/01 |
| 代理公司： | 北京市盈科律師事務所 11344 | 代理人： | 羅東 |
| 地址： | 650000 云南*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ipd 吸收 式高通 濾波器 | ||
1.一種IPD吸收式高通濾波器，包括基體層和其上表面的金屬層，其特征在于，所述金屬層上形成有電路結構，所述電路結構包括高通通路單元和信號吸收單元，所述高通通路單元包括串聯在輸入端口和輸出端口之間的第一電容，第一電容和輸入端口之間連接有第一電感，第一電感連接有第一接地電容，第一電容和輸出端口之間連接有第二電感，第二電感連接有第二接地電容，所述信號吸收單元為三個電阻形成的π型衰減器，所述第一電容由兩個子電容串聯形成。
2.根據權利要求1所述的IPD吸收式高通濾波器，其特征在于：所述第一電感和第二電感采用平面螺旋結構。
3.根據權利要求1所述的IPD吸收式高通濾波器，其特征在于：所述第一電容、第一接地電容和第二接地電容均采用薄膜平行板電容。
4.根據權利要求1所述的IPD吸收式高通濾波器，其特征在于：所述信號吸收單元的電阻由82%Ni和18%Cr組成。
5.根據權利要求4所述的IPD吸收式高通濾波器，其特征在于：所述電阻通過磁控濺射共沉積方法獲得精準電阻值。
6.根據權利要求1所述的IPD吸收式高通濾波器，其特征在于：所述第一電感的電感值與第二電感的電感值相等，所述第一接地電容的電容值與第二接地電容的電容值相等。
7.根據權利要求1所述的IPD吸收式高通濾波器，其特征在于：所述基體層為為砷化鎵、氮化硅或硅。
8.根據權利要求1所述的IPD吸收式高通濾波器，其特征在于：所述高通通路單元和所述信號吸收單元可以作為子單元進行多級級聯。
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