[發(fā)明專利]一種金屬氧化物半導(dǎo)體及薄膜晶體管與應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011314502.3
• 申請日: 2020-11-20
• 公開（公告）號: CN112582466A
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐苗;徐華;李民;彭俊彪;王磊;鄒建華;陶洪
• 申請（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號: H01L29/24
• 分類號: H01L29/24;H01L29/786
• 代理公司: 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288
• 代理人: 楊艷

1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體，其特征在于，該金屬氧化物半導(dǎo)體為：在含銦的金屬氧化物MO-In₂O₃半導(dǎo)體中，分別摻入至少兩種的稀土元素R的氧化物和稀土元素R’的氧化物，形成In_xM_yR_nR’_mO_z半導(dǎo)體材料，其中，x+y+m+n＝1，0.4≤x＜0.9999，0≤y＜0.5，0.0001≤(m+n)≤0.2，m＞0，n＞0，z＞0。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體，其特征在于，所述稀土元素R的氧化物為載流子濃度控制劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體，其特征在于，所述稀土元素R的氧化物為氧化鐿、氧化銪中的一種或兩種材料組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體，其特征在于，所述稀土元素R’的氧化物為光穩(wěn)定劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體，其特征在于，所述稀土元素R’的氧化物為氧化鐠、氧化鋱、氧化鈰、氧化鏑中的一種或任意兩種以上材料組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體，其特征在于，所述MO中，M為Zn、Ga、Sn、Ge、Sb、Al、Mg、Ti、Zr、Hf、Ta、W中的一種或任意兩種以上材料組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的金屬氧化物半導(dǎo)體，其特征在于，所述金屬氧化物半導(dǎo)體通過采用物理氣相沉積工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、原子層沉積工藝、激光沉積工藝、反應(yīng)離子沉積工藝、溶液法工藝中的任意一種工藝的方法制備成膜。

8.一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括柵極、有源層、位于所述柵極和有源層之間的絕緣層、分別電性連接在所述有源層兩端的源極和漏極、以及間隔層，其特征在于，所述有源層為權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的金屬氧化物半導(dǎo)體。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述間隔層為采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方式制備的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅薄膜中的一種結(jié)構(gòu)或者任意兩種以上組成的疊層結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管在顯示面板或探測器中的應(yīng)用。