[發明專利]一種晶圓放置狀態檢測方法、半導體工藝設備

在審

• 申請號: 202011312584.8
• 申請日: 2020-11-20
• 公開（公告）號: CN112490141A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 尹子劍;趙海洋;鄧曉軍
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67;C23C16/52
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

1.一種晶圓放置狀態檢測方法，其特征在于，所述方法包括：

基于預設目標溫度，加熱半導體工藝設備工藝腔室中的基座，以加熱承載在所述基座的片槽中的晶圓；

旋轉所述基座，并通過所述工藝腔室的觀測窗檢測所述晶圓的表面溫度；

當檢測到所述晶圓的表面溫度低于預設表面溫度閾值時，確定所述晶圓處于搭邊放置狀態。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預設表面溫度閾值為在所述目標溫度下所述晶圓的平均表面溫度與預設表面溫度最大誤差值的差值。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述基座旋轉的圈數達到預設圈數后，停止旋轉所述基座，并停止檢測所述晶圓的表面溫度。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在確定所述晶圓處于搭邊放置狀態之后，還包括：

生成指示所述晶圓處于搭邊放置狀態的告警信息，所述告警信息包括處于搭邊放置狀態的所述晶圓所處的片槽的位置。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，通過以下步驟確定處于搭邊放置狀態的所述晶圓所處的片槽的位置：

獲取用于帶動所述基座旋轉的電機的編碼器在檢測到所述晶圓的表面溫度低于預設表面溫度閾值時輸出的編碼信息；

基于所述編碼信息，確定所述晶圓所處的片槽的位置。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在確定所述晶圓處于搭邊放置狀態之后，還包括：

重新放置所述晶圓。

7.一種半導體工藝設備，包括：工藝腔室，所述工藝腔室上設置有觀測窗，所述工藝腔室中設置有基座，所述基座上設置有用于承載晶圓的片槽，其特征在于，所述觀測窗上方設置有測溫組件，用于檢測晶圓的表面溫度，所述半導體工藝設備還包括：

控制器，被配置為控制所述基座中的加熱元件基于預設目標溫度，加熱所述基座，以加熱承載在所述片槽中的晶圓；使所述基座旋轉，控制所述測溫組件檢測晶圓的表面溫度；當所述測溫組件檢測到晶圓的表面溫度低于預設表面溫度閾值時，確定晶圓處于搭邊放置狀態。

8.根據權利要求6所述的設備，其特征在于，所述預設表面溫度閾值為在所述目標溫度下晶圓的平均表面溫度與預設表面溫度最大誤差值的差值。

9.根據權利要求6所述的設備，其特征在于，所述控制器進一步被配置為在所述基座旋轉的圈數達到預設圈數后，使所述基座停止旋轉，控制所述測溫組件停止檢測晶圓的表面溫度。

10.根據權利要求6所述的設備，其特征在于，所述控制器進一步被配置為在確定晶圓處于搭邊放置狀態之后，生成指示所述晶圓處于搭邊放置狀態的告警信息，所述告警信息包括處于搭邊放置狀態的晶圓所處的片槽的位置。