[發(fā)明專利]一種DDR分子篩的制備方法及其應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011311002.4 | 申請日: | 2020-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN114516639A | 公開(公告)日: | 2022-05-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 洪楊;閆娜娜;郭鵬;田鵬;劉中民 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所 |
| 主分類號: | C01B39/04 | 分類號: | C01B39/04;B01D53/02;B01J29/03;B01J29/70 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 ddr 分子篩 制備 方法 及其 應(yīng)用 | ||
1.一種DDR分子篩的制備方法,其特征在于,所述方法包括:
a)將硅源、鋁源、模板劑R、堿金屬離子源和水混合,得到初始混合物I;
在所述初始混合物I中,所述水、硅源、鋁源、模板劑R和堿金屬離子源的摩爾比為:
H2O/SiO2=0.3~5;
Al2O3/SiO2=0~0.1;
MOH/SiO2=0~0.025;其中M為堿金屬;
R/SiO2=0.01~2;
其中,水以H2O自身的摩爾數(shù)計,硅源以SiO2的摩爾數(shù)計,鋁源以Al2O3的摩爾計數(shù),模板劑R以R自身的摩爾數(shù)計;
b)將所述初始混合物I晶化,即可得到所述DDR分子篩。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述方法包括:
a)將硅源、模板劑R和水混合,得到初始混合物II;
在所述初始混合物II中,所述水、硅源、模板劑R的摩爾比為:
H2O/SiO2=0.3~5;
R/SiO2=0.01~2;
其中,水以H2O自身的摩爾數(shù)計,硅源以SiO2的摩爾數(shù)計,模板劑R以R自身的摩爾數(shù)計;
b)將所述初始混合物II晶化,即可得到所述DDR分子篩;
所述DDR分子篩為純硅分子篩。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述方法包括:
a)將硅源、鋁源、模板劑R、堿金屬離子源和水混合,得到初始混合物III;
在所述初始混合物III中,所述水、硅源、鋁源、模板劑R和堿金屬離子源的摩爾比為:
H2O/SiO2=0.3~5;
Al2O3/SiO2=0.01~0.1;
MOH/SiO2=0.01~0.025;其中M為堿金屬;
R/SiO2=0.01~2;
其中,水以H2O自身的摩爾數(shù)計,硅源以SiO2的摩爾數(shù)計,鋁源以Al2O3的摩爾計數(shù),模板劑R以R自身的摩爾數(shù)計;
b)將所述初始混合物III晶化,即可得到所述DDR分子篩;
所述DDR分子篩為硅鋁分子篩;
優(yōu)選地,所述硅鋁分子篩的硅鋁比大于等于13。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,在所述初始混合物II中,還包括堿金屬離子源;
所述堿金屬離子源的加入量為:MOH/SiO2=0.01~0.025。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述晶化的條件為:晶化溫度為160℃~200℃;晶化時間為1-8天。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,在所述初始混合物II中,還包括晶種;所述晶種選自DD3R;
優(yōu)選地,所述晶種的加入量為所述初始混合物II中硅源質(zhì)量的0.01~1;
所述硅源質(zhì)量以SiO2的質(zhì)量計。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法,其特征在于,在所述初始混合物III中,還包括晶種;所述晶種選自Sigma-1;
優(yōu)選地,所述晶種的加入量為所述初始混合物III中硅源質(zhì)量的0.01~1;
所述硅源質(zhì)量以SiO2的質(zhì)量計。
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C01B39-02 . 結(jié)晶硅酸鋁沸石;其同晶化合物;其直接制備方法;以含另一類結(jié)晶沸石的反應(yīng)混合物或以預(yù)成形的反應(yīng)物作原料的制備方法;其后處理
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