[發明專利]具有極高Q值的氮化鋁lamb波諧振器及加工方法

在審

• 申請號: 202011309982.4
• 申請日: 2020-11-20
• 公開（公告）號: CN112421200A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 高安明;姜偉;劉偉
• 申請（專利權）人: 浙江信唐智芯科技有限公司
• 主分類號: H01P7/10
• 分類號: H01P7/10;H01P1/207
• 代理公司: 上海段和段律師事務所 31334
• 代理人: 李佳俊;郭國中

1.一種具有極高Q值的氮化鋁lamb波諧振器，其特征在于，包括：電極、薄膜(2)；

所述電極包括：叉指電極(1)、底電極(3)；

所述叉指電極(1)的一端接入RF信號；

所述叉指電極(1)的另一端與地相連；

所述底電極(3)采用電性浮接；

所述薄膜(2)設置于叉指電極(1)、底電極(3)之間。

2.根據權利要求1所述的具有極高Q值的氮化鋁lamb波諧振器，其特征在于，所述電極的材料能夠采用以下任意一種：

-鉑；

-鋁；

-鉬；

-金；

-銀；

-釕；

所述薄膜(2)能夠采用以下任意一種材料：

-氮化鋁；

-摻鈧氮化鋁。

3.根據權利要求1所述的具有極高Q值的氮化鋁lamb波諧振器，其特征在于，當在叉指電極(1)與底電極(3)之間施加電場時，薄膜(2)中能夠產生機械振動，從而形成沿水平方向的lamb波諧振。

4.根據權利要求1所述的具有極高Q值的氮化鋁lamb波諧振器，其特征在于，采用6個叉指電極(1)；

所述具有極高Q值的氮化鋁lamb波諧振器能夠激勵出6階S0諧振模式。

5.根據權利要求4所述的具有極高Q值的氮化鋁lamb波諧振器，其特征在于，所述S0諧振模式的諧振頻率能夠由叉指電極(1)的寬度以及電極間距來調整；

通過減小氮化鋁lamb波諧振器的機電耦合系數K2能夠提高氮化鋁lamb波諧振器的Q值。

6.根據權利要求4所述的具有極高Q值的氮化鋁lamb波諧振器，其特征在于，還包括：半指電極(4)；

所述6個叉指電極(1)的兩旁分別引入一個具有原電極同樣長度但是僅一半寬度的半指電極(4)。

7.根據權利要求6所述的具有極高Q值的氮化鋁lamb波諧振器，其特征在于，所述半指電極(4)一端接入RF信號；

所述半指電極(4)另一端與地相連；

所述具有極高Q值的氮化鋁lamb波諧振器能夠激勵出S0諧振模的泛音諧振。

8.根據權利要求5所述的具有極高Q值的氮化鋁lamb波諧振器，其特征在于，所述具有極高Q值的氮化鋁lamb波諧振器能夠激勵出以下任意一種S0諧振模：

-6階S0諧振模；

-8階S0諧振模；

-10階S0諧振模；

-12階S0諧振模；

所述8階S0諧振模為S0諧振模的泛音諧振中的主模。

9.一種具有極高Q值的氮化鋁lamb波諧振器加工方法，其特征在于，采用權利要求1-8任一項所述的具有極高Q值的氮化鋁lamb波諧振器，包括：

步驟S1：準備單晶硅片清洗；

步驟S2：將底部電極(3)蒸鍍到硅襯底上；

步驟S3：濺鍍薄膜(2)；

步驟S4：采用光刻膠涂覆、曝光、蝕刻出叉指電極的形狀；

步驟S5：濺鍍金屬層，并剝離出叉指電極(1)；

步驟S6：利用等離子體增強化學氣相沉積技術制備二氧化硅掩膜；

步驟S7：利用反應離子刻蝕技術蝕刻氮化鋁膜層；

步驟S8：去除二氧化硅掩膜；

步驟S9：利用二氟化氙釋放震蕩堆。