[發明專利]超薄晶圓的背面刻蝕液及刻蝕方法

有效

• 申請號: 202011309979.2
• 申請日: 2020-11-20
• 公開（公告）號: CN112410888B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 葛林四;葛永恒;吳士勇;韓鵬帥;葛威威
• 申請（專利權）人: 上海提牛機電設備有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;H01L21/306
• 代理公司: 上海十蕙一蘭知識產權代理有限公司 31331
• 代理人: 劉秋蘭

1.超薄晶圓的背面刻蝕液，包括混合液，其特征在于，所述混合液由硫酸、硝酸和氫氟酸組成；

所述硫酸、硝酸和氫氟酸的質量配比為5-7：2-4：0.5-1.5；

所述超薄晶圓的背面刻蝕液由所述混合液和鹽酸組成，所述鹽酸質量含量是所述混合液的0.01％-0.05％。

2.如權利要求1所述的超薄晶圓的背面刻蝕液，其特征在于，所述硫酸、硝酸和氫氟酸的質量配比為6：3：1。

3.如權利要求1所述的超薄晶圓的背面刻蝕液，其特征在于，所述硫酸的摩爾濃度為97％-98％；

所述硝酸的摩爾濃度為64％-65％；

所述氫氟酸的摩爾濃度為48％-49％。

4.如權利要求3所述的超薄晶圓的背面刻蝕液，其特征在于，所述硫酸的摩爾濃度為98％；

所述硝酸的摩爾濃度為65％；

所述氫氟酸的摩爾濃度為49％。

5.如權利要求1、2、3或4所述的超薄晶圓的背面刻蝕液，其特征在于，所述鹽酸質量含量是所述混合液的0.03％；

所述鹽酸的摩爾濃度為30％-35％。

6.如權利要求5所述的超薄晶圓的背面刻蝕液，其特征在于，所述鹽酸的摩爾濃度為32％。

7.超薄晶圓的背面刻蝕方法，采用權利要求1至6中任意一項所述的刻蝕液，包括如下步驟：

1)將晶圓經上料區上料；

2)將所述晶圓從上料區置于第一刻蝕槽內，所述第一刻蝕槽內含有所述混合液，所述晶圓浸入所述混合液中，在密閉環境下，以第一預設溫度保持第一預設時間，對所述晶圓的背面進行刻蝕；

3)將所述晶圓置于第一溢流槽內進行第一次清洗；

4)將所述晶圓置于第二刻蝕槽內，所述第二刻蝕槽內含有所述混合液，所述晶圓浸入所述混合液中，在密閉環境下，以第二預設溫度保持第二預設時間，對所述晶圓的背面再次進行刻蝕；

5)將所述晶圓置于第二溢流槽內進行第二次清洗；

6)將所述晶圓置于氫氟酸槽，所述氫氟酸槽內含有氫氟酸液，所述晶圓浸入所述氫氟酸液中去除表面的自然氧化膜；

7)將所述晶圓置于第三溢流槽內進行第三次清洗；

8)將所述晶圓經下料區下料，完成所述晶圓的刻蝕。

8.如權利要求7所述的超薄晶圓的背面刻蝕方法，其特征在于，步驟2)中，所述第一預設溫度為15℃-25℃；

所述第一預設時間為30秒-60秒；

步驟4)中，第二預設溫度為25℃-35℃；

所述第二預設時間為60秒-150秒。

9.如權利要求8所述的超薄晶圓的背面刻蝕方法，其特征在于，步驟2)中，所述第一預設溫度為22℃；

所述第一預設時間為30秒；

步驟4)中，第二預設溫度為35℃；

所述第二預設時間為120秒。

10.如權利要求7所述的超薄晶圓的背面刻蝕方法，其特征在于，所述第一刻蝕槽內的所述混合液、所述第二刻蝕槽內的所述混合液均由硫酸、硝酸和氫氟酸組成，所述硫酸、硝酸和氫氟酸的質量配比為5-7：2-4：0.5-1.5。

11.如權利要求10所述的超薄晶圓的背面刻蝕方法，其特征在于，所述硫酸、硝酸和氫氟酸的質量配比為6：3：1。

12.如權利要求7所述的超薄晶圓的背面刻蝕方法，其特征在于，步驟2)中在對所述晶圓第一次刻蝕、步驟4)中在對所述晶圓再次刻蝕時均按批次對所述晶圓進行刻蝕，每批次采用13片所述晶圓同時浸入所述混合液中進行刻蝕；

在初次刻蝕前，先在所述混合液中滴加質量含量為所述混合液的0.01％-0.05％的鹽酸，且每刻蝕完10批次所述晶圓后，在下一批次刻蝕前，滴加一次質量含量為所述混合液的0.01％-0.05％的鹽酸。