[發明專利]顯示裝置

在審

• 申請號: 202011309789.0
• 申請日: 2020-11-20
• 公開（公告）號: CN112909017A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 鄭壎;申澈相;許珍
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 唐京橋;姜婷

1.一種顯示裝置，包括：

基板，其包括設置有多個子像素的有源區域和定位在所述有源區域外部的非有源區域；

設置在所述基板上的多個薄膜晶體管；以及

平坦化層，其設置在所述基板上的所述非有源區域和所述有源區域的至少一部分中，

其中，所述多個薄膜晶體管中的至少一個包括：

所述基板上的第一柵電極；

所述第一柵電極上的半導體層；以及

所述半導體層上的第二柵電極，

其中，所述平坦化層位于設置有所述第二柵電極的層與設置有所述半導體層的層之間的層中，并且

所述平坦化層被設置在除了其中所述半導體層的溝道區域與所述第二柵電極相交疊的區域以外的區域的至少一部分上。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二柵電極通過接觸孔電連接至所述第一柵電極，所述接觸孔被包括在除了設置有所述半導體層的區域以外的區域中的所述平坦化層中。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二柵電極與所述第一柵電極絕緣，并且向所述第二柵電極提供與提供至所述第一柵電極的信號相同的信號。

4.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二柵電極的一部分位于所述平坦化層上。

5.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二柵電極與設置有在所述子像素中設置的像素電極和公共電極中的至少一個的層位于同一層中。

6.根據權利要求5所述的顯示裝置，其中，所述第二柵電極與所述像素電極和所述公共電極中的位于更上層上的電極位于同一層中。

7.根據權利要求5所述的顯示裝置，其中，所述第二柵電極與所述像素電極位于同一層中，并且所述公共電極位于所述像素電極上且被設置在所述子像素的整個區域上。

8.根據權利要求1所述的顯示裝置，還包括：

第一柵極絕緣層，其位于所述第一柵電極與所述半導體層之間；以及

第二柵極絕緣層，其位于所述半導體層與所述第二柵電極之間，并且位于所述平坦化層下方。

9.根據權利要求8所述的顯示裝置，其中，所述平坦化層露出所述第二柵極絕緣層的一部分。

10.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述半導體層是氧化物半導體層。

11.根據權利要求10所述的顯示裝置，其中，所述半導體層包括第一氧化物半導體層和設置在所述第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層，并且

其中，所述第一氧化物半導體層中包括的材料的組成比與所述第二氧化物半導體層中包括的材料的組成比不同。

12.根據權利要求11所述的顯示裝置，其中，所述第一氧化物半導體層和所述第二氧化物半導體層中的一個具有含量比為1：1：1的銦、鎵、和鋅，并且另一個具有高于銦的含量和鋅的含量的鎵的含量。

13.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，包括所述第二柵電極的薄膜晶體管被設置在所述非有源區域上，并且電連接至設置在所述有源區域上的柵極線。

14.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，包括所述第二柵電極的薄膜晶體管被設置在所述非有源區域上，并且電連接在設置在所述非有源區域上的鏈接線與設置在所述有源區域上的數據線之間，并且

電連接至第一數據線的第一薄膜晶體管和電連接至第二數據線的第二薄膜晶體管電連接至同一鏈接線。

15.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，包括所述第二柵電極的薄膜晶體管被設置在所述有源區域上，并且電連接至設置在所述子像素中的像素電極。