[發明專利]一種基于正交場的雙向耦合電路有效
| 申請號： | 202011309598.4 | 申請日： | 2020-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN112467330B | 公開（公告）日： | 2021-10-15 |
| 發明（設計）人： | 彭文超;羅明;盧子焱;蔡雪芳;周義 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第二十九研究所 |
| 主分類號： | H01P5/18 | 分類號： | H01P5/18 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214 | 代理人： | 陳法君 |
| 地址： | 610036 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 正交 雙向 耦合 電路 | ||
1.一種基于正交場的雙向耦合電路，其特征在于，所述雙向耦合電路包括主傳輸線(1)、耦合傳輸線(2)、耦合匹配(3)、匹配電阻(4)和金帶(6)，
其中，所述主傳輸線(1)的兩端分別接端1和端口2，所述主傳輸線(1)與耦合傳輸線(2)呈90°設置，
所述耦合傳輸線(2)的首端接端口3，所述耦合傳輸線(2)的末端經耦合匹配(3)與金帶(6)相接，所述金帶(6)跨過主傳輸線(1)并經耦合匹配(3)和匹配電阻(4)與介質基片上的接地焊盤(5)相接；
構成端口1到端口3、端口2到端口3的對稱耦合電路。
2.如權利要求1所述的基于正交場的雙向耦合電路，其特征在于，所述金帶(6)的數量和跨越主傳輸線(1)的弧度基于耦合度設計需求設置。
3.如權利要求1所述的基于正交場的雙向耦合電路，其特征在于，所述耦合匹配(3)為匹配電路，所述匹配電路被配置為通過調節匹配電路外形尺寸的大小和形狀實現傳輸阻抗匹配。
4.如權利要求1所述的基于正交場的雙向耦合電路，其特征在于，所述匹配電阻(4)通過薄膜印制或者焊接封裝接入電路。
5.如權利要求1所述的基于正交場的雙向耦合電路，其特征在于，所述接地焊盤(5)通過打金絲金帶的形式接地或者通過金屬化通孔的形式接地。
6.如權利要求1所述的基于正交場的雙向耦合電路，其特征在于，所述介質基片的材料為Rogers 5880、Rogers 4350或Al2O3陶瓷。
7.如權利要求1所述的基于正交場的雙向耦合電路，其特征在于，所述匹配電阻(4)為50歐姆電阻。
8.如權利要求1所述的基于正交場的雙向耦合電路，其特征在于，所述主傳輸線(1)和耦合傳輸線(2)的傳輸線為微帶線結構。
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