[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011309334.9
• 申請(qǐng)日: 2020-11-20
• 公開（公告）號(hào): CN113363155A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳健源;林芮萍;李振銘;楊復(fù)凱;王美勻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/78;H01L29/417;H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

一種示例性方法包括：形成從半導(dǎo)體襯底延伸的鰭；在鰭上沉積層間介電(ILD)層；在ILD層上形成掩模層；在掩模層上形成切割掩模，切割掩模包括第一介電材料，切割掩模具有暴露掩模層的第一開口，第一開口中的每個(gè)的所有側(cè)由第一介電材料圍繞；在切割掩模上和第一開口中形成線掩模，線掩模具有槽開口，槽開口暴露切割掩模的部分和掩模層的部分，槽開口是垂直于鰭延伸的帶；通過蝕刻掩模層的由第一開口和槽開口暴露的部分圖案化掩模層；以及使用圖案化的掩模層作為蝕刻掩模在ILD層中蝕刻接觸開口。本申請(qǐng)的實(shí)施例還涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件用于各種電子應(yīng)用中，諸如例如個(gè)人計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他電子設(shè)備。通常，通過在半導(dǎo)體襯底上方依次沉積絕緣層或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體材料層，并且使用光刻圖案化各個(gè)材料層，以在其上形成電路組件和元件來制造半導(dǎo)體器件。

半導(dǎo)體工業(yè)通過不斷減小最小部件尺寸來不斷提高各個(gè)電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許更多的組件集成至給定區(qū)域。然而，隨著最小部件尺寸的減小，出現(xiàn)了應(yīng)該解決的額外的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：形成從半導(dǎo)體襯底延伸的第一鰭；在所述第一鰭中生長(zhǎng)源極/漏極區(qū)域；在所述第一鰭上方形成金屬柵極，所述金屬柵極設(shè)置在所述源極/漏極區(qū)域和所述第一鰭的第一偽區(qū)域之間；在所述源極/漏極區(qū)域和所述第一偽區(qū)域上方沉積層間介電(ILD)層；在所述層間介電層上方形成切割掩模，所述切割掩模具有第一切割部分、第二切割部分和第一修整部分，所述第一切割部分和所述第二切割部分的每個(gè)沿著所述第一鰭的縱軸延伸，所述第一鰭橫向設(shè)置在所述第一切割部分和所述第二切割部分之間，所述第一修整部分將所述第一切割部分連接至所述第二切割部分，所述第一修整部分設(shè)置在所述第一偽區(qū)域上方；使用所述切割掩模作為蝕刻掩模圖案化位于所述層間介電層中的接觸開口，在所述圖案化之后，位于所述第一修整部分之下的所述層間介電層的部分保留在所述第一偽區(qū)域上方；以及在所述接觸開口中形成源極/漏極接觸件，所述源極/漏極接觸件耦接至所述源極/漏極區(qū)域。

本申請(qǐng)的另一些實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：形成從半導(dǎo)體襯底延伸的鰭；在所述鰭上沉積層間介電(ILD)層；在所述層間介電層上形成掩模層；在所述掩模層上形成切割掩模，所述切割掩模包括第一介電材料，所述切割掩模具有暴露所述掩模層的第一開口，所述第一開口中的每個(gè)的所有側(cè)由所述第一介電材料圍繞；在所述切割掩模上和所述第一開口中形成線掩模，所述線掩模具有槽開口，所述槽開口暴露所述切割掩模的部分和所述掩模層的部分，所述槽開口是垂直于所述鰭延伸的帶；通過蝕刻所述掩模層的由所述第一開口和所述槽開口暴露的部分來圖案化所述掩模層；以及使用圖案化的掩模層作為蝕刻掩模在層間介電層中蝕刻接觸開口。

本申請(qǐng)的又一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：半導(dǎo)體襯底，具有主表面；第一鰭，從所述半導(dǎo)體襯底延伸，所述第一鰭具有沿著第一方向的第一縱軸，所述第一方向平行于所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面；源極/漏極區(qū)域，位于所述第一鰭中；第一金屬柵極，位于所述第一鰭上方，所述第一金屬柵極設(shè)置在所述源極/漏極區(qū)域和所述第一鰭的偽區(qū)域之間；第二金屬柵極，位于所述第一鰭上方，所述偽區(qū)域設(shè)置在所述第二金屬柵極和所述第一金屬柵極之間；接觸蝕刻停止層(CESL)，位于所述源極/漏極區(qū)域和所述偽區(qū)域上方，所述接觸蝕刻停止層物理接觸所述偽區(qū)域并且沿著所述偽區(qū)域連續(xù)延伸；第一層間介電(ILD)層，位于所述接觸蝕刻停止層上方；以及第一源極/漏極接觸件，延伸穿過所述第一層間介電層和所述接觸蝕刻停止層，所述第一源極/漏極接觸件物理接觸所述源極/漏極區(qū)域，所述第一源極/漏極接觸件具有寬度和長(zhǎng)度，所述長(zhǎng)度大于所述寬度，所述長(zhǎng)度沿著第二方向測(cè)量，所述第二方向平行于所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面，所述第二方向垂直于所述第一方向。

附圖說明