[發明專利]用于在易失性存儲器中寫入的方法和對應的集成電路

在審

• 申請號: 202011308495.6
• 申請日: 2020-11-20
• 公開（公告）號: CN112825028A
• 公開（公告）日: 2021-05-21
• 發明（設計）人: C·伊瓦;J-M·格里爾-馬弗瑞
• 申請（專利權）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F15/78
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 羅利娜

本公開的實施例涉及用于在易失性存儲器中寫入的方法和對應的集成電路。一種用于寫入易失性存儲器的實施例方法，包括：至少接收向存儲器寫入的請求，以及響應于向存儲器寫入的每個請求：準備待寫入存儲器的數據，這包括計算錯誤校正碼；將待寫入存儲器的數據存儲在緩沖寄存器中；以及，如果在存儲之后沒有接收到向存儲器寫入或從存儲器讀取的新請求，則將存儲在緩沖寄存器中的待寫入的數據寫入存儲器。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年11月21日提交的法國專利申請第1913001號的權益，該申請通過引用并入本文。

技術領域

實施例和實現模式涉及集成電路，例如片上系統的集成電路，包括使用錯誤校正碼錯誤校正碼的隨機存取存儲器。

背景技術

通常形式為漢明碼(Hamming code)的錯誤校正碼(或ECC)允許檢測和校正在存儲器的存儲器字中的至少一個錯誤。在知道存儲器字專用的所有數據的情況下，錯誤校正碼被計算。

存儲器字是存儲器的組織和訪問存儲器的常規單位。存儲器字通常包括多個數據位，或八個數據位的多個位，以及專用錯誤校正碼的位。

這樣，某些存儲器允許以小于一個存儲器字的粒度(例如一個字節或一個比特的粒度)寫入數據，并且必須在被修改的并且完整的新存儲器字上重新計算錯誤校正碼。通常，在寫入新存儲器字及其錯誤校正碼之前，提供待讀取的舊的未修改數據。

解決方案建議插入讀取、計算代碼和寫入兩個連續寫入指令的步驟，并且，將新修改的存儲器字存儲在緩沖寄存器中，直到下一個寫入指令為止，在下一個寫入指令上將該新修改的存儲器字寫入存儲器。

因此，如果存儲器裝置被復位，則存儲在緩沖寄存器中的數據丟失，即使它們已經被命令寫入至隨機存取存儲器。

復位指的是由“復位”類型的信號命令的復位，與重新啟動或斷電相反。隨機存取存儲器，例如靜態隨機存取存儲器類型(即SRAM)的隨機存取存儲器，在復位的情況下不必須丟失被存儲的數據。

發明內容

實現模式和實施例使得可以不再丟失假定實際被寫入隨機存取存儲器中的數據，特別是在系統復位的情況下。

根據一個方面，由此提出了用于寫入易失性存儲器的方法，該方法包括至少接收向存儲器寫入的請求，以及響應于向存儲器寫入的每個請求：準備待寫入存儲器的數據，這包括計算錯誤校正碼；將待寫入存儲器的數據存儲在緩沖寄存器中；以及，如果在存儲之后沒有接收到向存儲器寫入或從存儲器讀取的新請求，則將存儲在緩沖寄存器中的待寫入的數據寫入存儲器。

換言之，建議的是，系統地將準備好的待寫入的最后數據存儲在緩沖寄存器中。然而，代替添加將會導致累積延遲的一系列連續寫入操作，僅在存儲器空閑時(即當不需要讀取存儲器或從存儲器讀取時)的有利點處添加寫入操作。

根據一種實現模式，該方法還包括：如果在存儲之后接收到向存儲器寫入的新請求，則在將隨后待寫入存儲器的數據(即響應于向存儲器寫入的新請求而準備的數據)存儲在緩沖寄存器中之前，將存儲在緩沖寄存器中的待寫入的數據寫入存儲器。

因此，該方法既受益于在一系列連續寫請求的情況下節省時間，又受益于關于最后數據丟失的安全性(特別是在復位的情況下)。

根據一種實現模式，向存儲器寫入的請求包括：存儲器的存儲器地址和具有大小小于存儲器的存儲器字的大小的新數據；準備待寫入的數據包括：讀取預先存儲在包含存儲器地址的存儲器字中的先前數據，并且對先前數據和新數據的組合計算錯誤校正碼，待寫入的數據包括數據和這樣計算的錯誤校正碼的組合。