[發(fā)明專利]MEMS芯片和MEMS麥克風(fēng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011308342.1 | 申請日： | 2020-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN112333617A | 公開（公告）日： | 2021-02-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周宗燐;邱冠勛 | 申請（專利權(quán)）人： | 青島歌爾智能傳感器有限公司 |
| 主分類號： | H04R19/04 | 分類號： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287 | 代理人： | 張毅 |
| 地址： | 266100 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mems 芯片 麥克風(fēng) | ||
1.一種MEMS芯片，其特征在于，包括：
振膜，所述振膜具有通氣結(jié)構(gòu)；
背極，所述背極包括背極本體和泄壓閥，所述背極本體與所述振膜之間形成間隙，所述背極本體上還設(shè)有連通所述間隙的第一泄壓孔，所述第一泄壓孔對應(yīng)所述通氣結(jié)構(gòu)設(shè)置，所述泄壓閥連接于所述背極本體并可活動地封堵或打開所述第一泄壓孔；以及
束縛件，所述束縛件設(shè)于所述背極背離所述振膜的一側(cè)，并連接所述背極本體和所述泄壓閥，所述束縛件束縛所述泄壓閥，以使所述泄壓閥打開所述第一泄壓孔。
2.如權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述束縛件貼合設(shè)置于所述背極本體的表面和所述泄壓閥的表面。
3.如權(quán)利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，所述泄氣閥包括連接段和與所述連接段連接的覆蓋段，所述覆蓋段對應(yīng)所述通氣結(jié)構(gòu)設(shè)置，所述連接段連接所述背極本體，所述束縛件貼合設(shè)置于所述連接段背離所述振膜的一側(cè)。
4.如權(quán)利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，所述束縛件貼合于所述泄壓閥的面積S1與所述束縛件貼合于所述背極本體的面積S2的關(guān)系為：S1≤S2。
5.如權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述束縛件呈平板狀結(jié)構(gòu)、球狀結(jié)構(gòu)或塊狀結(jié)構(gòu)設(shè)置；
且/或，所述束縛件的外截面輪廓呈圓形或多邊形設(shè)置。
6.如權(quán)利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，所述束縛件的材質(zhì)包括壓電材料。
7.如權(quán)利要求6所述的MEMS芯片，其特征在于，所述束縛件包括壓電材料層和至少兩電極層，兩所述電極層貼合設(shè)置于所述壓電材料層相對的兩側(cè)，其中一所述電極層貼合設(shè)置于所述背極本體的表面和所述泄壓閥的表面，兩所述電極層均用于連通外部電路。
8.如權(quán)利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，所述束縛件包括加熱件和驅(qū)動層，所述驅(qū)動層貼合設(shè)置于所述泄壓閥背離所述振膜的一側(cè)，所述加熱件設(shè)于所述驅(qū)動層背離所述泄壓閥的一側(cè)，所述泄壓閥的熱膨脹系數(shù)小于所述驅(qū)動層的熱膨脹系數(shù)。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一泄壓孔的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述第一泄壓孔相互間隔設(shè)置，所述泄壓閥的數(shù)量為多個(gè)，一所述泄壓閥對應(yīng)一所述第一泄壓孔設(shè)置。
10.如權(quán)利要求9所述的MEMS芯片，其特征在于，所述束縛件的數(shù)量為至少一個(gè)，一所述束縛件貼合設(shè)置于背極本體和多個(gè)泄壓閥，一所述束縛件束縛多個(gè)所述泄壓閥，以使多個(gè)所述泄壓閥打開多個(gè)所述第一泄壓孔；
或者，所述束縛件的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述束縛件貼合設(shè)置于背極本體和同一所述泄壓閥，多個(gè)所述束縛件共同束縛同一所述泄壓閥，以使所述泄壓閥打開所述第一泄壓孔。
11.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的MEMS芯片，其特征在于，定義所述背極具有中心軸線，所述束縛件與中心軸線的距離小于所述泄壓閥與中心軸線的距離，所述泄壓閥自所述第一泄壓孔向所述中心軸線延伸，以打開所述第一泄壓孔；
或者，所述束縛件與中心軸線的距離大于所述泄壓閥與中心軸線的距離，所述泄壓閥自所述第一泄壓孔向背離所述中心軸線延伸，以打開所述第一泄壓孔。
12.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的MEMS芯片，其特征在于，所述背極還設(shè)有多個(gè)連通所述間隙的第二泄壓孔，所述第二泄壓孔均勻分布于所述背極，并鄰近所述第一泄壓孔設(shè)置；
且/或，所述MEMS芯片還包括襯底，所述襯底設(shè)于所述振膜背離所述背極的一側(cè)，所述襯底還設(shè)有背腔，所述通氣結(jié)構(gòu)連通所述背腔和所述間隙。
13.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的MEMS芯片，其特征在于，所述通氣結(jié)構(gòu)包括多個(gè)相互間隔的通氣孔，多個(gè)所述通氣孔對應(yīng)所述泄氣閥設(shè)置。
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