[發(fā)明專利]具有金屬氧化物半導體結構的半導體裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011308208.1
• 申請日: 2020-11-20
• 公開（公告）號: CN112825334A
• 公開（公告）日: 2021-05-21
• 發(fā)明（設計）人: 李奎沃;俞在炫;金貞敬;宋周泫;趙秀娟;洪元杓
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

1.一種半導體裝置，包括：

半導體襯底；

漂移區(qū)，其設置在所述半導體襯底中，所述漂移區(qū)具有第一導電類型；

主體區(qū)，其設置在所述半導體襯底中，鄰近于所述漂移區(qū)，所述主體區(qū)具有與所述第一導電類型不同的第二導電類型；

漏極區(qū)，其設置在所述漂移區(qū)中，與所述主體區(qū)相對；

漏極隔離絕緣膜，其設置在所述漂移區(qū)的鄰近于所述漏極區(qū)的一部分中；

柵極絕緣膜，其設置在所述半導體襯底上，并且在所述主體區(qū)的一部分和所述漂移區(qū)的一部分上方延伸；以及

柵電極，其設置在所述柵極絕緣膜上，并且具有在平面圖中由所述柵電極完全圍繞的至少一個開口。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述至少一個開口具有與所述漂移區(qū)重疊的區(qū)。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體裝置，還包括：

第一導電類型的雜質區(qū)，其設置在與所述至少一個開口重疊的區(qū)中。

4.根據(jù)權利要求3所述的半導體裝置，其中，

所述第一導電類型的雜質區(qū)的雜質濃度大于所述漂移區(qū)的雜質濃度。

5.根據(jù)權利要求3所述的半導體裝置，其中，所述第一導電類型的雜質區(qū)與所述主體區(qū)間隔開。

6.根據(jù)權利要求5所述的半導體裝置，其中，所述第一導電類型的雜質區(qū)與所述主體區(qū)之間的距離為至少0.1μm。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述至少一個開口包括閉合類型的多個開口。

8.根據(jù)權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述主體區(qū)、所述漂移區(qū)和所述漏極區(qū)在第一方向上布置，并且所述多個開口在所述主體區(qū)與所述漏極區(qū)之間在與所述第一方向交叉的第二方向上布置。

9.根據(jù)權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述多個開口被布置為多行。

10.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述至少一個開口的平面形狀具有圓形部分或者其內拐角為鈍角。

11.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述至少一個開口的面積與所述柵電極的面積之比在2:8至8:2的范圍內。

12.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

源極區(qū)，其設置在所述主體區(qū)中，并且具有所述第一導電類型，以及

主體接觸區(qū)，其鄰近于所述主體區(qū)中的源極區(qū)設置，并且具有所述第二導電類型。

13.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述漏極隔離絕緣膜包括硅的局部氧化，其設置在所述半導體襯底的上表面的位于所述柵電極與所述漏極區(qū)之間的區(qū)上。

14.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述漏極隔離絕緣膜包括淺溝槽絕緣件，其設置在所述半導體襯底的位于所述柵電極與所述漏極區(qū)之間的區(qū)中。

15.一種半導體裝置，包括：

半導體襯底；

漂移區(qū)，其設置在所述半導體襯底中，所述漂移區(qū)延伸至所述半導體襯底的上表面，并且具有第一導電類型；

主體區(qū)，其設置在所述半導體襯底中，并且與所述漂移區(qū)共享邊界，所述主體區(qū)延伸至所述半導體襯底的上表面，并且具有與所述第一導電類型不同的第二導電類型；

柵極絕緣膜，其設置在所述主體區(qū)與所述漂移區(qū)之間的邊界上，所述柵極絕緣膜在所述主體區(qū)的一部分和所述漂移區(qū)的一部分上方延伸；以及

柵電極，其設置在所述柵極絕緣膜上，并且具有多個開口，所述多個開口在平面圖中各自由所述柵電極完全圍繞，

其中，所述多個開口中的每一個具有與所述漂移區(qū)重疊的區(qū)。