[發(fā)明專利]有機發(fā)光二極管顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011307963.8 | 申請日: | 2020-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN112928140A | 公開(公告)日: | 2021-06-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張志向;金怠植;趙昭英;金津泰 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 王偉;李琳 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 發(fā)光二極管 顯示裝置 | ||
1.一種有機發(fā)光二極管顯示裝置,包括:
基板,所述基板具有第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素;
第一濾色器層、第二濾色器層和第三濾色器層,所述第一濾色器層、所述第二濾色器層和所述第三濾色器層在所述基板上方且分別在所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素中;
第一波長轉(zhuǎn)換層、第二波長轉(zhuǎn)換層和第三波長轉(zhuǎn)換層,所述第一波長轉(zhuǎn)換層在所述基板上方且在所述第一子像素中,所述第二波長轉(zhuǎn)換層和所述第三波長轉(zhuǎn)換層分別在所述第一濾色器層和所述第二濾色器層上方;以及
發(fā)光二極管,所述發(fā)光二極管在所述第一波長轉(zhuǎn)換層、所述第二波長轉(zhuǎn)換層和所述第三波長轉(zhuǎn)換層上方且在所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素中的每一個中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第一波長轉(zhuǎn)換層包括第一波長轉(zhuǎn)換圖案和第二波長轉(zhuǎn)換圖案,所述第一波長轉(zhuǎn)換圖案包括第一波長轉(zhuǎn)換材料,所述第二波長轉(zhuǎn)換圖案包括第二波長轉(zhuǎn)換材料,并且
其中,所述第二波長轉(zhuǎn)換層和所述第三波長轉(zhuǎn)換層分別包括第三波長轉(zhuǎn)換材料和第四波長轉(zhuǎn)換材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中,所述第一波長轉(zhuǎn)換材料、所述第二波長轉(zhuǎn)換材料、所述第三波長轉(zhuǎn)換材料和所述第四波長轉(zhuǎn)換材料中的每一者包括量子點和納米復(fù)合材料之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中,所述第一波長轉(zhuǎn)換材料、所述第二波長轉(zhuǎn)換材料、所述第三波長轉(zhuǎn)換材料和所述第四波長轉(zhuǎn)換材料中的每一者具有350nm至650nm的吸收波段和450nm至750nm的發(fā)射波段。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中,所述第一波長轉(zhuǎn)換圖案和所述第二波長轉(zhuǎn)換圖案中的每一個為多個長條的形狀和矩形的形狀之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中,所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素分別對應(yīng)于白色、紅色、綠色和藍色,
其中,所述第一濾色器層、所述第二濾色器層和所述第三濾色器層分別選擇性地透射紅色光、綠色光和藍色光,
其中,所述第一波長轉(zhuǎn)換材料和所述第三波長轉(zhuǎn)換材料吸收所述藍色光并發(fā)射所述紅色光,并且
其中,所述第二波長轉(zhuǎn)換材料和所述第四波長轉(zhuǎn)換材料吸收所述藍色光并發(fā)射所述綠色光。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述發(fā)光二極管包括第一電極、發(fā)光層和第二電極,
其中,所述發(fā)光層包括分別發(fā)射第一藍色光、黃綠色光和第二藍色光的第一發(fā)光材料層、第二發(fā)光材料層和第三發(fā)光材料層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述發(fā)光二極管包括第一電極、發(fā)光層和第二電極,
其中,所述發(fā)光層包括分別發(fā)射第一藍色光、黃綠色光、綠色光和第二藍色光的第一發(fā)光材料層、第二發(fā)光材料層、第三發(fā)光材料層和第四發(fā)光材料層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,還包括多個微透鏡,所述多個微透鏡設(shè)置在所述基板與所述發(fā)光二極管之間并且具有不平坦形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置,其中,所述多個微透鏡中的每一個為凸透鏡形狀和凹透鏡形狀之一。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置,還包括第一平坦化層,所述第一平坦化層在所述第一波長轉(zhuǎn)換層、所述第二波長轉(zhuǎn)換層和所述第三波長轉(zhuǎn)換層與所述發(fā)光二極管之間,
其中,所述多個微透鏡設(shè)置在所述第一平坦化層上方。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置,其中,所述第一平坦化層的折射率與所述多個微透鏡的折射率相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置,其中,所述第一平坦化層的折射率大于所述多個微透鏡的折射率。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





