[發明專利]晶圓預檢方法、裝置、控制系統以及計算機可讀介質在審
| 申請號: | 202011307914.4 | 申請日: | 2020-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN114520156A | 公開(公告)日: | 2022-05-20 |
| 發明(設計)人: | 金成昱;金帥炯;梁賢石;賀曉彬;劉強;丁明正;楊濤 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人: | 李晶 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 預檢 方法 裝置 控制系統 以及 計算機 可讀 介質 | ||
1.一種晶圓預檢方法,其特征在于,所述晶圓預檢方法包括如下步驟:
獲得晶圓到達被檢測位置的信號;
獲取所述晶圓的背面的壓力差;
獲得與所述壓力差所對應的所述晶圓的背面的高度差的比較值;
比較所述比較值與預設值;
根據比較結果,判定所述晶圓是否合格。
2.根據權利要求1所述的晶圓預檢方法,其特征在于,在獲取所述晶圓的背面的壓力差的步驟中還包括如下步驟:
獲取所述晶圓的背面的當前壓力;
獲取參考壓力;
計算所述當前壓力與所述參考壓力的差值,以獲得所述壓力差。
3.根據權利要求1所述的晶圓預檢方法,其特征在于,所述預設值為100nm。
4.根據權利要求3所述的晶圓預檢方法,其特征在于,在根據比較結果,判定所述晶圓是否合格的步驟中還包括:
根據所述比較值小于所述預設值,判定所述晶圓未受到污染;
根據所述比較值大于所述預設值,判定所述晶圓受到污染。
5.一種晶圓預檢裝置,用于實施根據權利要求1至4任一項所述的晶圓預檢方法,其特征在于,所述晶圓預檢裝置包括:
裝載組件,所述裝載組件將晶圓移至或移除被檢測位置;
氣動量儀,所述氣動量儀設置在所述被檢測位置,用于對所述晶圓的背面是否存在異物進行檢測。
6.根據權利要求5所述的晶圓預檢裝置,其特征在于,所述裝載組件包括:
移送件,所述移送件用于將所述晶圓送入所述晶圓預檢裝置內;
夾持件,所述夾持件用于將所述移送件移入的所述晶圓移至或移除被檢測位置。
7.根據權利要求6所述的晶圓預檢裝置,其特征在于,所述夾持件包括第一夾持部和第二夾持部,所述第一夾持部和所述第二夾持部分別用于抵靠在所述晶圓的邊緣的相對兩側。
8.根據權利要求7所述的晶圓預檢裝置,其特征在于,所述移送件為第一機械手;
并且/或者所述第一夾持部為第二機械手;
并且/或者所述第二夾持部為第三機械手。
9.一種晶圓預檢控制系統,其特征在于,所述晶圓預檢控制系統包括存儲器、處理器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的控制程序,所述控制程序被所述處理器執行時實現根據權利要求1至4中任一項所述的晶圓預檢方法。
10.一種計算機可讀介質,其特征在于,其上存儲有計算機可讀指令,所述計算機可讀指令可被處理器執行以實現根據權利要求1至4中任一項所述的晶圓預檢方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





