[發(fā)明專利]清潔方法和等離子體處理裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011307540.6
• 申請(qǐng)日: 2020-11-20
• 公開（公告）號(hào): CN112885695A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高山貴光;佐佐木淳一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種清潔方法，是等離子體處理裝置中的載置臺(tái)的清潔方法，所述等離子體處理裝置具備：載置臺(tái)，其載置基板；升降機(jī)構(gòu)，其使所述基板相對(duì)于所述載置臺(tái)進(jìn)行升降；以及高頻電源，其與所述載置臺(tái)連接，所述清潔方法包括：

進(jìn)行分離的工序，使用所述升降機(jī)構(gòu)來使所述載置臺(tái)與所述基板分離；以及

進(jìn)行去除的工序，在所述進(jìn)行分離的工序之后，通過從所述高頻電源向所述載置臺(tái)供給高頻電力來生成等離子體，從而去除沉積于所述載置臺(tái)的沉積物，

其中，在所述進(jìn)行分離的工序中，所述載置臺(tái)與所述基板的分離距離設(shè)定為形成于所述載置臺(tái)的外周部周邊的合成阻抗比形成于所述載置臺(tái)的中心部正上方的合成阻抗低。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔方法，其特征在于，

所述載置臺(tái)與所述基板的分離距離比在所述進(jìn)行去除的工序中生成的等離子體的鞘的厚度小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的清潔方法，其特征在于，

所述載置臺(tái)與所述基板的分離距離為2.3mm以上且5mm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的清潔方法，其特征在于，

所述載置臺(tái)與所述基板的分離距離為2.3mm以上且3.5mm以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的清潔方法，其特征在于，

所述載置臺(tái)與所述基板的分離距離為2.3mm以上且3mm以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的清潔方法，其特征在于，

關(guān)于在所述進(jìn)行去除的工序中生成的等離子體的密度，所述基板的外周部周邊的該密度比所述基板的中心部的該密度高。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的清潔方法，其特征在于，

所述等離子體處理裝置具備包圍所述載置臺(tái)的載置面的外周的環(huán)構(gòu)件，

關(guān)于在所述進(jìn)行去除的工序中生成的等離子體的密度，所述環(huán)構(gòu)件的內(nèi)周部的該密度比所述環(huán)構(gòu)件的外周部的該密度高。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的清潔方法，其特征在于，

在所述進(jìn)行去除的工序中生成含氧氣體的等離子體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的清潔方法，其特征在于，

所述等離子體處理裝置具備收容所述載置臺(tái)的處理容器，

所述清潔方法具有在所述進(jìn)行分離的工序之前或所述進(jìn)行去除的工序之后，在使所述基板載置于所述載置臺(tái)的狀態(tài)下使用所述等離子體來去除沉積于所述處理容器的沉積物的工序。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的清潔方法，其特征在于，

所述等離子體處理裝置具備收容所述載置臺(tái)的處理容器，

所述清潔方法具有在所述進(jìn)行分離的工序之前或所述進(jìn)行去除的工序之后，在所述處理容器內(nèi)未收容所述基板的狀態(tài)下使用所述等離子體來去除沉積于所述處理容器的沉積物的工序。

11.一種等離子體處理裝置，具備：

載置臺(tái)，其載置基板；

升降機(jī)構(gòu)，其使所述基板相對(duì)于所述載置臺(tái)進(jìn)行升降；

高頻電源，其與所述載置臺(tái)連接；以及

控制部，

其中，所述控制部構(gòu)成為控制所述升降機(jī)構(gòu)和所述高頻電源，以執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的清潔方法。