[發明專利]一種柔性TMR磁阻傳感器及其制備方法在審
| 申請號: | 202011307158.5 | 申請日: | 2020-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN112490351A | 公開(公告)日: | 2021-03-12 |
| 發明(設計)人: | 劉明;胡忠強;關蒙萌;王志廣;周子堯;毛若浩;朱媛媛 | 申請(專利權)人: | 西安交通大學 |
| 主分類號: | H01L43/02 | 分類號: | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 安彥彥 |
| 地址: | 710049 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 柔性 tmr 磁阻 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種柔性TMR磁阻傳感器,其特征在于,包括柔性基底(1)、下電極層(2)、磁阻結構(3)、絕緣層(4)和上電極層(5);下電極層(2)設置在柔性基底(1)上,磁阻結構(3)設置在下電極層(2)上,上電極層(5)設置在磁阻結構(3)上;絕緣層(4)設置在上電極層(5)和柔性基底(1)之間,且包裹在磁阻結構(3)外側;
磁阻結構(3)包括反鐵磁層(31)、釘扎層(32)、磁隧道結層(33)和自由層(34);釘扎層(32)設置在反鐵磁層(31)的上表面,磁隧道結層(33)設置在釘扎層(32)的上表面,自由層(34)設置在磁隧道結層(33)的上表面;上電極層(5)設置在自由層(34)的上表面,反鐵磁層(31)位于下電極層(2)的上表面。
2.根據權利要求1所述的一種柔性TMR磁阻傳感器,其特征在于,反鐵磁層(31)與釘扎層(32)之間生長有緩沖層,自由層上方覆蓋有緩沖層;磁隧道結層(33)為鐵磁層/隧道層/鐵磁層組成的層狀結構,隧道結上覆蓋一層緩沖層。
3.根據權利要求2所述的一種柔性TMR磁阻傳感器,其特征在于,緩沖層為具有較好延展性的金屬或其合金。
4.根據權利要求1所述的一種柔性TMR磁阻傳感器,其特征在于,反鐵磁層(31)為鐵磁性金屬及反鐵磁性金屬構成的兩層金屬薄膜。
5.根據權利要求1所述的一種柔性TMR磁阻傳感器,其特征在于,上電極層和下電極層為Ta、Au、Ag、Al、Cu、Pt、W、Ti、Mo、TaN或TiN中的一種或多種合金金屬薄膜。
6.根據權利要求1所述的一種柔性TMR磁阻傳感器,其特征在于,柔性基底材料為PET、PEN、PMMA、PDMS、Mica或厚度小于50μm的硅片中的一種。
7.一種柔性TMR磁阻傳感器的制備方法,其特征在于,基于權利要求1至6任意一項所述的一種柔性TMR磁阻傳感器,包括以下步驟:
步驟1,提供一個柔性基底,利用丙酮、酒精和去離子水分別超聲清洗1~10min,之后用N2吹干,在烘箱內保持80~150℃烘5~30min;
步驟2,利用磁控濺射技術在柔性基底上依次生長緩沖層、下電極導電層、反鐵磁層、緩沖層、隧道結、緩沖層;
步驟3,在柔性基底上滴加光刻膠,在勻膠機上先以300~700r/min速率旋轉3~10s使得光刻膠覆蓋基底,再以2000~6000r/min速率旋轉20~60s使得光刻膠厚度均勻;將旋涂光刻膠的壓電材料基底放入烘箱內,以80~150℃加熱10~30min,使得光刻膠完全固化,形成第一光刻膠層;
步驟4,對第一光刻膠層進行紫外線曝光,曝光時間為30~60s;利用顯影液對曝光后的第一光刻膠層進行顯影處理;
步驟5,利用干法刻蝕,將基底上的TMR結構刻蝕為下電極形狀,然后利用丙酮超聲清洗,去除剩余的光刻膠;
步驟6,在基底上滴加光刻膠,在勻膠機上先以300~700r/min速率旋轉3~10s使得光刻膠覆蓋基底,再以200~6000r/min速率旋轉20~60s使得光刻膠厚度均勻,將旋涂光刻膠的基底放入烘箱內,以80~150℃加熱10~30min,使得光刻膠完全固化,形成第二光刻膠層;
步驟7,對第二光刻膠層進行紫外線曝光30~60s,利用顯影液對曝光后的第二光刻膠層進行顯影處理;
步驟8,利用干法刻蝕將基底上的多層結構刻蝕為兩個TMR單元結構,刻蝕深度至下電極層和反鐵磁層,然后利用丙酮超聲清洗,去除剩余的光刻膠;
步驟9,在沉積有隧道結單元的基底上滴加光刻膠,在勻膠機上先以300~700r/min速率旋轉3~10s使得光刻膠覆蓋基底,再以2000~6000r/min速率旋轉30~60s使得光刻膠厚度均勻,將旋涂光刻膠的基底放入烘箱內,以80~150℃加熱10~30min,使得光刻膠完全固化,形成第三光刻膠層;
步驟10,對第三光刻膠層進行紫外線曝光30~60s,利用顯影液對曝光后的第三層光刻膠進行顯影處理;
步驟11:利用磁控濺射薄膜生長技術在顯影后的樣品上生長絕緣層,后利用丙酮超聲清洗,去除第三光刻膠層,洗去多余絕緣材料;
步驟12,利用磁控濺射薄膜生長技術在樣品上生長上電極,形成TMR傳感器結構。
8.根據權利要求7所述的一種柔性TMR磁阻傳感器的制備方法,其特征在于,步驟12中,濺射氛圍為純度為99.998%的氬氣,壓強為3mTorr。
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