[發明專利]六階及以上校正STEM多極校正器

在審

• 申請號: 202011306965.5
• 申請日: 2020-11-20
• 公開（公告）號: CN112837983A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: A·亨斯特拉;P·C·泰梅杰爾;M·尼斯塔特
• 申請（專利權）人: FEI公司
• 主分類號: H01J37/10
• 分類號: H01J37/10;H01J37/153;H01J37/26
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張凌苗;周學斌

1.一種用于校正帶電粒子系統中的軸向像差的校正器，所述校正器包括：

第一初級多極，當將第一激勵施加到所述第一初級多極時，所述第一初級多極產生第一初級多極場；

第二初級多極，當將第二激勵施加到所述第二初級多極時，所述第二初級多極產生第二初級多極場，其中當在所述帶電粒子系統中使用時，所述第二初級多極定位在所述第一初級多極與作為球面像差來源的透鏡之間，其中所述第一初級多極未被成像到所述第二初級多極上，從而產生了組合四階像差；以及

次級多極，所述次級多極用于校正所述四階像差和六階像差，其中當在所述帶電粒子系統中使用時，所述次級多極定位在所述第二初級多極與所述透鏡之間。

2.根據權利要求1所述的校正器，其中所述次級多極被進一步配置成針對三倍像散A₂進行校正。

3. 根據權利要求1所述的校正器，其中所述次級多極被配置成使得：

當將第三激勵施加到所述次級多極時，所述次級多極產生第三多極場，并且

所述第三多極場產生校正所述四階像差和所述六階像差的一個或多個像差。

4.根據權利要求1所述的校正器，其中所述次級多極產生二階像差，所述二階像差產生校正所述四階像差的組合像差。

5.根據權利要求1所述的校正器，其中所述第一激勵和所述第二激勵使得對所述第一初級多極場產生的三倍像散A₂的第一貢獻和對所述第二初級多極場產生的三倍像散A₂的第二貢獻不會消除。

6.根據權利要求1所述的校正器，其中當使用所述校正器時，未被成像到所述第二初級多極上的所述第一初級多極包括以發散角或會聚角之一進入所述第一初級多極的帶電粒子束。

7.根據權利要求1所述的校正器，其中未被成像到所述第二初級多極上的所述第一初級多極包括所述校正器上游的透鏡的一個或多個透鏡激勵，使得當使用所述校正器時，帶電粒子束以發散角或會聚角之一進入所述第一初級多極。

8.根據權利要求1所述的校正器，其中未被成像到所述第二初級多極上的所述第一初級多極對應于定位在所述第一初級多極與所述第二初級多極之間的透鏡的一個或多個透鏡激勵。

9.根據權利要求1所述的校正器，其中所述第一初級多極和所述第二初級多極都為六極。

10.根據權利要求1到9中任一項所述的校正器，進一步包括用于校正八階像差的三級多極，其中當在所述帶電粒子系統中使用時，所述三級多極定位在所述次級多極與所述透鏡之間。

11. 根據權利要求10所述的校正器，其中所述三級多極被配置成使得：

當將第四激勵施加到所述三級多極時，所述三級多極產生第四多極場；并且

所述第四多極場產生校正所述八階像差的一個或多個像差。

12.根據權利要求1到9中任一項所述的校正器，其中未被成像到所述第二初級多極上的所述第一初級多極對應于所述第一初級多極或所述第二初級多極中的一個的沿中心軸從所述第一初級多極被成像到所述第二初級多極上的位置處的第一位移。

13.根據權利要求12所述的校正器，其中未被成像到所述第二初級多極上的所述第一初級多極進一步對應于所述第一初級多極或所述第二初級多極中的另一個的沿中心軸從所述第一初級多極被成像到所述第二初級多極上的位置處的第二位移。

14.根據權利要求13所述的校正器，其中所述第一位移與所述第二位移的方向相反。

15. 一種帶電粒子系統，包括：

帶電粒子源，所述帶電粒子源被配置成向樣品發射帶電粒子束；和

光學柱，所述光學柱被配置成將所述帶電粒子束聚焦到所述樣品上，其中所述光學柱包括根據權利要求1到9中任一項所述的用于校正作為球面像差來源的透鏡的軸向像差的校正器。