[發明專利]轉移設備、其制作方法以及微元件的轉移方法

在審

• 申請號: 202011306742.9
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN112967989A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 蒲洋;王然龍
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L33/48
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 霍文娟

1.一種轉移設備，其特征在于，包括：

支撐結構，具有多個第一凹槽；

第一粘結層，設于所述支撐結構上且與所述第一凹槽形成容納腔體；以及

熱膨脹層，設于所述容納腔體中，所述熱膨脹層在吸收熱量后擠壓所述第一粘結層使所述第一粘結層產生形變。

2.如權利要求1所述的轉移設備，其特征在于，所述第一粘結層包括本體部和第一凸起，所述本體部與所述第一凹槽形成所述容納腔體，所述第一凸起位于所述本體部的遠離所述支撐結構的表面上，且至少一個所述第一凹槽在所述第一粘結層上的投影區域覆蓋至少一個所述第一凸起所在的區域。

3.如權利要求2所述的轉移設備，其特征在于，所述第一凸起有多個，且多個所述第一凸起間隔排列，且各所述第一凹槽在所述第一粘結層上的投影區域覆蓋至少一個第一凸起所在的區域。

4.如權利要求1所述的轉移設備，其特征在于，所述支撐結構的材料包括聚二甲基硅氧烷，所述第一粘結層的材料包括聚二甲基硅氧烷。

5.如權利要求1至4中任一項所述的轉移設備，其特征在于，所述轉移設備還包括：

熱量釋放層，位于所述第一凹槽的表面上且未充滿所述第一凹槽，所述熱量釋放層為被加熱后可以釋放熱量的材料層。

6.一種權利要求1至5中任一項所述的轉移設備的制作方法，其特征在于，包括：

形成具有第一凹槽的支撐結構；

形成第一粘結層于所述支撐結構上，所述第一粘結層與所述第一凹槽形成容納腔體；

在所述容納腔體中設置熱膨脹層，所述熱膨脹層在吸收熱量后擠壓所述第一粘結層使所述第一粘結層產生形變。

7.如權利要求6所述的轉移設備的制作方法，其特征在于，所述形成具有第一凹槽的支撐結構，包括：

提供具有多個第二凸起的第二模具，所述第二凸起與所述第一凹槽適配；

在所述第二模具上形成所述支撐結構。

8.如權利要求7所述的轉移設備的制作方法，其特征在于，

所述提供具有多個第二凸起的第二模具，包括：

提供具有多個第二凹槽的第一模具；

在所述第一模具上設置液態的第二粘結劑并固化，得到具有多個第二預備凸起的第二預備模具；

對所述第二預備模具的表面進行活化處理，得到具有多個所述第二凸起的所述第二模具，所述第二凹槽和所述第二凸起適配，

所述在所述第二模具上形成所述支撐結構，包括：

在所述第二模具上設置液態的第一粘結劑并固化，形成具有多個所述第一凹槽的所述支撐結構。

9.如權利要求6所述的轉移設備的制作方法，其特征在于，所述形成第一粘結層于所述支撐結構上，包括：

提供具有第三凸起的第三模具；

在所述第三模具上設置液態的第三粘結劑并固化，形成具有第四凹槽的第四模具，所述第四凹槽和所述第三凸起適配；

在所述第四模具上設置液態的第四粘結劑并固化，形成具有第一凸起的所述第一粘結層，所述第一凸起與所述第四凹槽適配；

對所述第一粘結層的預定表面以及所述支撐結構的預定表面進行表面活化處理，所述第一粘結層的預定表面為不具有所述第一凸起的表面，所述支撐結構的預定表面為具有所述第一凹槽的表面；

將活化處理后的所述第一粘結層的預定表面以及所述支撐結構的預定表面貼合。

10.一種微元件的轉移方法，其特征在于，所述轉移方法包括：

將微元件源結構中的微元件轉移至暫態基板上，所述微元件源結構包括生長基板和位于所述生長基板上的微元件；

將位于所述暫態基板上的所述微元件轉移至權利要求1至5中任一項所述的轉移設備中的第一粘結層的表面上；

將粘附有所述微元件的所述轉移設備與預定結構貼合，且使得所述微元件與所述預定結構接觸；

對所述轉移設備的至少部分加熱，使得至少部分所述第一粘結層向所述微元件一側突出，將至少一個所述微元件轉移至所述預定結構上。