[發(fā)明專利]一種基于光纖的電場探測裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011305862.7 | 申請日： | 2020-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN112285442A | 公開（公告）日： | 2021-01-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權(quán)）人： | 彭彥莉 |
| 主分類號： | G01R29/12 | 分類號： | G01R29/12 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 726206 陜西省商洛*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 光纖 電場 探測 裝置 | ||
1.一種基于光纖的電場探測裝置，其特征在于，包括基底層、加熱部、第一施力部、第二施力部、有機共軛聚合物材料部、第一光纖、第二光纖，所述有機共軛聚合物材料部的材料為有機共軛聚合物材料，所述基底層的表面設(shè)有凹坑，所述加熱部置于所述凹坑內(nèi)，所述第一施力部和所述第二施力部置于所述基底層上所述加熱部的兩側(cè)，所述有機共軛聚合物材料部置于所述第一施力部和所述第二施力部之間，所述第一施力部和所述第二施力部固定連接在所述有機共軛聚合物材料部的兩端，所述第一光纖和所述第二光纖固定在所述有機共軛聚合物材料部的頂部，所述第一光纖的端面和所述第二光纖的端面之間設(shè)有間隙，所述有機共軛聚合物材料填充所述間隙。
2.如權(quán)利要求1所述的基于光纖的電場探測裝置，其特征在于：所述有機共軛聚合物材料為聚3-己基噻吩。
3.如權(quán)利要求2所述的基于光纖的電場探測裝置，其特征在于：所述第一光纖和所述第二光纖的方向與所述第一施力部和所述第二施力部的連線方向平行。
4.如權(quán)利要求3所述的基于光纖的電場探測裝置，其特征在于：所述間隙的寬度小于1微米。
5.如權(quán)利要求1-4任一項所述的基于光纖的電場探測裝置，其特征在于：還包括貴金屬顆粒，所述貴金屬顆粒設(shè)置在所述間隙內(nèi)的所述有機共軛聚合物材料內(nèi)。
6.如權(quán)利要求5所述的基于光纖的電場探測裝置，其特征在于：所述貴金屬顆粒的個數(shù)為多個。
7.如權(quán)利要求6所述的基于光纖的電場探測裝置，其特征在于：所述貴金屬顆粒的材料為金或銀。
8.如權(quán)利要求7所述的基于光纖的電場探測裝置，其特征在于：所述貴金屬顆粒的直徑大于30納米、小于100納米。
9.如權(quán)利要求8所述的基于光纖的電場探測裝置，其特征在于：還包括固定層，所述固定層覆蓋所述第一光纖、所述第二光纖、所述間隙。
10.如權(quán)利要求1-9任一項所述的基于光纖的電場探測裝置，其特征在于：所述固定層的材料為所述有機共軛聚合物材料。
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