[發明專利]改善近紅外圖像傳感器串擾特性的方法

在審

• 申請號: 202011305458.X
• 申請日: 2020-11-20
• 公開（公告）號: CN112420761A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 秦佑華;陳昊瑜;姬峰
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 欒美潔

1.一種改善近紅外圖像傳感器串擾特性的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1，在半導體襯底中形成淺溝槽；

步驟S2，沉積第一高介電介質，所述第一高介電介質形成在所述半導體襯底的表面上以及所述淺溝槽的側壁和底部上在所述第二氧化層上沉積金屬鋁，所述金屬鋁完全填充所述深溝槽對所述金屬鋁進行刻蝕并停在所述第二氧化層上，且所述深溝槽中的金屬鋁保留；

步驟S3，在所述第一高介電介質上淀積第一氧化層，所述第一氧化層完全填充所述淺溝槽；

步驟S4，去除所述第一氧化層和所述第一高介電介質并停在所述半導體襯底的表面，所述淺溝槽內部的所述第一氧化層的頂面與所述半導體襯底的表面保持齊平；

步驟S5，在半導體襯底中形成深溝槽；

步驟S6，沉積第二高介電介質，所述第二高介電介質形成在所述器件的表面上以及所述深溝槽的側壁和底部上；

步驟S7，在所述第二高介電介質上淀積第二氧化層；

步驟S8，在所述第二氧化層上沉積金屬鋁，所述金屬鋁完全填充所述深溝槽；

步驟S9，對所述金屬鋁進行刻蝕并停在所述第二氧化層上，且所述深溝槽中的金屬鋁保留。

2.根據權利要求1所述的改善近紅外圖像傳感器串擾特性的方法，其特征在于，在步驟S8和步驟S9中，所述金屬鋁替換為金屬鎢。

3.根據權利要求1或2所述的改善近紅外圖像傳感器串擾特性的方法，其特征在于，在步驟S4和步驟S5之間，在器件表面形成第一DPO層。

4.根據權利要求1或2所述的改善近紅外圖像傳感器串擾特性的方法，其特征在于，在步驟S5和步驟S6之間，形成第二DPO層，所述第二DPO層形成在器件的表面以及所述深溝槽的側壁和底部。

5.根據權利要求1或2所述的改善近紅外圖像傳感器串擾特性的方法，其特征在于，在步驟S1中，通過光刻刻蝕工藝形成所述淺溝槽。

6.根據權利要求1或2所述的改善近紅外圖像傳感器串擾特性的方法，其特征在于，在步驟S4中，利用毯式刻蝕工藝去除所述第一氧化層和所述第一高介電介質。

7.根據權利要求1或2所述的改善近紅外圖像傳感器串擾特性的方法，其特征在于，在步驟S4中，利用化學機械研磨工藝去除所述第一氧化層和所述第一高介電介質。

8.根據權利要求1或2所述的改善近紅外圖像傳感器串擾特性的方法，其特征在于，在步驟S5中，通過光刻刻蝕工藝形成所述深溝槽。

9.根據權利要求1或2所述的改善近紅外圖像傳感器串擾特性的方法，其特征在于，在步驟S9中，刻蝕后僅保留位于所述深溝槽內部的金屬鋁以及位于所述深溝槽上方的金屬鋁。

10.根據權利要求1或2所述的改善近紅外圖像傳感器串擾特性的方法，其特征在于，所述第一氧化層和所述第二氧化層采用原子層沉積法形成。